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GD25Q40CTIG 3.3V यूनिफॉर्म सेक्टर डुअल और क्वाड सीरियल फ्लैश 120MHz 600us SPI

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GD25Q40CTIG 3.3V यूनिफॉर्म सेक्टर डुअल और क्वाड सीरियल फ्लैश 120MHz 600us SPI

GD25Q40CTIG 3.3V Uniform SectorDual And Quad Serial Flash 120MHz 600us SPI
GD25Q40CTIG 3.3V Uniform SectorDual And Quad Serial Flash 120MHz 600us SPI GD25Q40CTIG 3.3V Uniform SectorDual And Quad Serial Flash 120MHz 600us SPI GD25Q40CTIG 3.3V Uniform SectorDual And Quad Serial Flash 120MHz 600us SPI GD25Q40CTIG 3.3V Uniform SectorDual And Quad Serial Flash 120MHz 600us SPI

बड़ी छवि :  GD25Q40CTIG 3.3V यूनिफॉर्म सेक्टर डुअल और क्वाड सीरियल फ्लैश 120MHz 600us SPI

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: GigaDevice
प्रमाणन: rohs
मॉडल संख्या: GD25Q40CTIG
दस्तावेज: C79077_D2B4531DDF08F34EBE0F...10.pdf
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 1
मूल्य: consult with
पैकेजिंग विवरण: टी/आर
प्रसव के समय: 5-8 दिन
भुगतान शर्तें: टी/टी, वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता: 100000
संपर्क करें

GD25Q40CTIG 3.3V यूनिफॉर्म सेक्टर डुअल और क्वाड सीरियल फ्लैश 120MHz 600us SPI

वर्णन
परिचालन तापमान: 2-3टी/कॉइल ऑपरेटिंग वोल्टेज: 2.7 वी ~ 3.6 वी
इंटरफ़ेस प्रकार: एसपीआई भंडारण क्षमता: 4 एमबीटी
घड़ी की आवृत्ति (एफसी): 120MHz पेज लिखने का समय (टीपीपी): 600us
प्रमुखता देना:

3.3V या फ्लैश मेमोरी नहीं

,

SPI सीरियलफ्लैश120MHz

,

क्वाडSPIफ्लैश600us

GD25Q40CTIG 3.3V यूनिफॉर्म सेक्टर डुअल एंड क्वाड सीरियल फ्लैश
4M-बिट सीरियल फ्लैश मेमोरी 120MHz SPI इंटरफ़ेस और 600μs प्रोग्रामिंग गति के साथ
प्रमुख विशेषताएं
  • 4M-बिट क्षमताः512K-बाइट प्रति प्रोग्राम करने योग्य पृष्ठ 256 बाइट के साथ
  • उच्च-गति प्रदर्शनः120 मेगाहर्ट्ज़ घड़ी आवृत्ति के साथ तेजी से पढ़ने की क्षमता
  • त्वरित कार्यक्रम/शोधनःपृष्ठ कार्यक्रम का समयः 0.6ms विशिष्ट
  • कई एसपीआई मोडःमानक, डुअल और क्वाड एसपीआई इंटरफेस
  • लचीला वास्तुकला:समान 4K बाइट सेक्टर और 32/64K बाइट ब्लॉक
  • उच्च डेटा हस्तांतरण दरेंःदोहरी I/O 240Mbits/s तक, क्वाड I/O 480Mbits/s तक
  • कम बिजली की खपतः20mA अधिकतम सक्रिय धारा, 5μA पावर डाउन धारा
  • उन्नत सुरक्षाः128-बिट अद्वितीय आईडी, ओटीपी लॉक के साथ सुरक्षा रजिस्टर
  • उच्च धीरज:कम से कम 100,000 कार्यक्रम/शोधन चक्र
  • एकल विद्युत आपूर्तिः2.7~3.6V पूर्ण वोल्टेज रेंज
मेमोरी आर्किटेक्चर
उपकरण ब्लॉक क्षेत्र पृष्ठ
512K बाइट्स 64/32K बाइट्स 4K बाइट्स 256 बाइट्स
2K पृष्ठ 256/128 पृष्ठ 16 पृष्ठ -
128 क्षेत्र 16/8 क्षेत्र - -
8/16 ब्लॉक - - -
उत्पाद प्रलेखन
GD25Q40CTIG Serial Flash memory pin configuration diagram GD25Q40CTIG memory architecture block diagram GD25Q40CTIG timing characteristics waveform GD25Q40CTIG package dimensions and specifications
पैकेजिंग और शिपिंग
मानक निर्यात पैकेजिंग उपलब्ध है। ग्राहक अपनी आवश्यकताओं के अनुसार कार्टन, लकड़ी के मामले और लकड़ी के पैलेट से चुन सकते हैं।
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
कीमत कैसे प्राप्त करें?
हम आम तौर पर आपकी पूछताछ प्राप्त करने के 24 घंटे के भीतर उद्धरण प्रदान करते हैं (सप्ताह के अंत और छुट्टियों को छोड़कर) । तत्काल मूल्य निर्धारण अनुरोधों के लिए, कृपया हमसे सीधे संपर्क करें।
आपकी डिलीवरी का समय क्या है?
छोटे बैच आमतौर पर 7-15 दिनों के भीतर जहाज करते हैं, जबकि बड़े बैच ऑर्डर के लिए ऑर्डर की मात्रा और मौसम के आधार पर लगभग 30 दिनों की आवश्यकता हो सकती है।
आपकी भुगतान शर्तें क्या हैं?
शिपमेंट से पहले टी/टी के माध्यम से 30% जमा और 70% शेष भुगतान के साथ फैक्टरी मूल्य निर्धारण।
शिपिंग के क्या विकल्प हैं?
उपलब्ध शिपिंग विधियों में समुद्री माल ढुलाई, हवाई माल ढुलाई और एक्सप्रेस डिलीवरी (ईएमएस, यूपीएस, डीएचएल, टीएनटी, फेडेक्स) शामिल हैं। कृपया ऑर्डर करने से पहले अपनी पसंदीदा विधि की पुष्टि करें।

टैग:

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नॉर एसपीआई,

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सम्पर्क करने का विवरण
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श्रेणी: स्मृति

एमएफआर: आईएसएसआई

मूल उत्पाद संख्या: IS25WP016D

पैकेजिंग: टेप और रील (टीआर) कट टेप (सीटी)
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संगठन: 128एम x 8

पैकेज का प्रकार: SOIC

समय मिटाना: 1.5ms

पहूंच समय: 70ns
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श्रेणी: स्मृति

एमएफआर: विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स

श्रृंखला: SpiFlash®

मेमोरी प्रारूप: चमक
के बारे में

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