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GD25Q16ETIG 3.3V Einheitlicher SektorDual und Quad Serial Flash 133MHz

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GD25Q16ETIG 3.3V Einheitlicher SektorDual und Quad Serial Flash 133MHz

GD25Q16ETIG 3.3V Uniform SectorDual and Quad Serial Flash 133MHz
GD25Q16ETIG 3.3V Uniform SectorDual and Quad Serial Flash 133MHz GD25Q16ETIG 3.3V Uniform SectorDual and Quad Serial Flash 133MHz GD25Q16ETIG 3.3V Uniform SectorDual and Quad Serial Flash 133MHz GD25Q16ETIG 3.3V Uniform SectorDual and Quad Serial Flash 133MHz

Großes Bild :  GD25Q16ETIG 3.3V Einheitlicher SektorDual und Quad Serial Flash 133MHz

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: GigaDevice
Zertifizierung: rohs
Modellnummer: GD25Q16ESIG
Dokument: C2693492_94FAA1AC4E53550D3B...1).pdf
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: consult with
Verpackung Informationen: T/R
Lieferzeit: 5-8 Tage
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100000
Kontakt Plaudern Sie Jetzt

GD25Q16ETIG 3.3V Einheitlicher SektorDual und Quad Serial Flash 133MHz

Beschreibung
Betriebstemperatur: -40℃~+85℃ Betriebsspannung: 2.7V~3.6V
Schnittstellentyp: SPI Speicherkapazität: 16 Mbit
Taktfrequenz (fc): 133MHz Seitenschreibzeit (Tpp): 400us
Hervorheben:

3

,

3V NOR-FLASH-Speicher

,

133MHz-Serielle Blitz GD25Q16ETIG

GD25Q16ETIG 3,3V Uniform Sector Dual und Quad Serial Flash 133MHz
Der GD25Q16ESIG ist ein Hochleistungs-16-Mbit-Serien-Flash-Speicher mit einheitlicher Sektorarchitektur und Unterstützung für Standard-, Dual- und Quad-SPI-Schnittstellen mit Taktfrequenzen bis zu 133 MHz.
Hauptmerkmale
  • 16-Mbit-Serien-Flash-Speicher
  • Schnelle Programmier-/Löschgeschwindigkeit:
    • Seitenprogrammierzeit: 0,4 ms typisch
    • Sektorlöschzeit: 45 ms typisch
    • Blocklöschzeit: 0,15 s/0,25 s typisch
    • Chip-Löschzeit: 6 s typisch
  • Mehrere SPI-Schnittstellen:
    • Standard-SPI: SCLK, CS#, SI, SO, WP#, HOLD#
    • Dual-SPI: SCLK, CS#, IO0, IO1, WP#, HOLD#
    • Quad-SPI: SCLK, CS#, IO0, IO1, IO2, IO3
  • Hohe Leistung:
    • 133 MHz schnelles Lesen mit 30 PF Last
    • Dual-I/O-Datenübertragung bis zu 266 Mbit/s
    • Quad-I/O-Datenübertragung bis zu 532 Mbit/s
  • Umfassender Schreibschutz:Software-/Hardware-Schreibschutz mit WP#-Pin-Steuerung und Top-/Bottom-Blockschutz
  • Flexible Architektur:Einheitliche 4K-Byte-Sektoren und 32/64K-Byte-Blöcke
  • Geringer Stromverbrauch:11 µA typischer Standby-Strom, 1 µA Deep-Power-Down-Strom
  • Erweiterte Sicherheit:128-Bit-eindeutige ID pro Gerät, SFDP-Register und 2x1024-Byte-Sicherheitsregister mit OTP-Sperren
  • Hohe Zuverlässigkeit:Mindestens 100.000 Programmier-/Löschzyklen, 20 Jahre Datenspeicherung typisch
  • Einzelne Stromversorgung:Voller Spannungsbereich 2,7-3,6 V
Pinbelegung
Pin-Nr. Pin-Name I/O Beschreibung
1 CS# I Chip-Select-Eingang
2 SO (IO1) I/O Datenausgang (Dateneingang/-ausgang 1)
3 WP# (IO2) I/O Schreibschutz-Eingang (Dateneingang/-ausgang 2)
4 VSS Masse
5 SI (IO0) I/O Dateneingang (Dateneingang/-ausgang 0)
6 SCLK I Serieller Takteingang
7 HOLD# (IO3) I/O Hold-Eingang (Dateneingang/-ausgang 3)
8 VCC Stromversorgung
Produktdokumentation
GD25Q16ETIG 3.3V Einheitlicher SektorDual und Quad Serial Flash 133MHz 0 GD25Q16ETIG 3.3V Einheitlicher SektorDual und Quad Serial Flash 133MHz 1 GD25Q16ETIG 3.3V Einheitlicher SektorDual und Quad Serial Flash 133MHz 2 GD25Q16ETIG 3.3V Einheitlicher SektorDual und Quad Serial Flash 133MHz 3
Verpackung & Versand
Standard-Exportverpackung verfügbar. Kunden können je nach ihren spezifischen Anforderungen aus Kartons, Holzkisten und Holzpaletten wählen.
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