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W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

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W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory
W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

बड़ी छवि :  W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: Winbond
प्रमाणन: rohs
मॉडल संख्या: W9825G6JH-6I
दस्तावेज: 2164CF525F182139B9BB121CA61...7F.pdf
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 1
मूल्य: consult with
पैकेजिंग विवरण: टी/आर
प्रसव के समय: 5-8 दिन
भुगतान शर्तें: टी/टी, वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता: 100000
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W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

वर्णन
परिचालन तापमान: -40℃~+85℃ ऑपरेटिंग वोल्टेज: 3V~3.6V
मेमोरी आर्किटेक्चर (प्रारूप): एसडीआरएएम भंडारण क्षमता: 256Mbit
घड़ी की आवृत्ति (एफसी): 133 मेगाहर्ट्ज ऑपरेटिंग करंट: 2-3टी/कॉइल
प्रमुखता देना:

W9825G6JH-6I SDRAM memory chip

,

4M 4BANKS 16BITS DRAM

,

high-speed synchronous DRAM memory

W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM
High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory optimized for high-performance computing applications.
Product Overview
The W9825G6JH is a high-speed synchronous dynamic random access memory (SDRAM) organized as 4M words × 4 banks × 16 bits. This memory module delivers exceptional data bandwidth of up to 200M words per second (-5 grade) and is designed to fully comply with personal computer industrial standards.
Speed Grade Specifications
Available in multiple speed grades to meet various performance requirements:
Part Number Speed Grade Self Refresh Current (Max) Operating Temperature
W9825G6JH-5 200MHz/CL3 2mA 0°C ~ 70°C
W9825G6JH-6 166MHz/CL3 or 133MHz/CL2 2mA 0°C ~ 70°C
W9825G6JH-6I 166MHz/CL3 2mA -40°C ~ 85°C
W9825G6JH-75 133MHz/CL3 2mA 0°C ~ 70°C
Key Features
  • 3.3V ± 0.3V Power Supply
  • Up to 200 MHz Clock Frequency
  • 4,194,304 Words × 4 Banks × 16 Bits Organization
  • Self Refresh Mode: Standard and Low Power
  • CAS Latency: 2 and 3
  • Burst Length: 1, 2, 4, 8 and Full Page
  • Burst Read, Single Writes Mode
  • Byte Data Controlled by LDQM, UDQM
  • Power Down Mode
  • Auto-precharge and Controlled Precharge
  • 8K Refresh Cycles/64 mS
  • LVTTL Interface
  • TSOP II 54-pin, 400 mil - 0.80 packaging
  • Lead-free materials with RoHS compliance
Technical Specifications
The W9825G6JH features burst-oriented access with programmable Mode Register for optimized performance. Consecutive memory locations in one page can be accessed at burst lengths of 1, 2, 4, 8 or full page. The multiple bank architecture enables interleaving among internal banks to minimize precharging time, making it ideal for main memory in high-performance applications.
Product Images
W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory 0 W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory 1 W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory 2
Packaging & Shipping
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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: FBGA-200

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
2Gb F डाई DRAM मेमोरी चिप डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: बीजीए ， एफबीजीए

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
DDR3L X16 4Gb DRAM चिप औद्योगिक F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: एफबीजीए-96

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
512MB 16बिट DRAM मेमोरी चिप 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

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माल सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सामान्य उद्देश्य पैकेजिंग: एफबीजीए-96

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना

कार्य तापमान: 95 ℃ (अधिकतम)
औद्योगिक DRAM मेमोरी चिप DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: एफबीजीए-96

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
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