제품 소개DRAM 메모리는 자릅니다

W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM 고속 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리

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W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM 고속 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리

W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory
W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

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제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: Winbond
인증: rohs
모델 번호: W9825G6JH-6I
문서: 2164CF525F182139B9BB121CA61...7F.pdf
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: consult with
포장 세부 사항: T/R
배달 시간: 5~8일
지불 조건: T/T, 서부 동맹
공급 능력: 100000
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W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM 고속 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리

설명
작동 온도: -40℃~+85℃ 작동 전압: 3V~3.6V
메모리 아키텍처(형식): SDRAM 저장 용량: 256Mbit
클럭 주파수 (fc): 133MHz 작동 전류: -
강조하다:

W9825G6JH-6I SDRAM 메모리 칩

,

4M 4BANKS 16BITS DRAM

,

고속 동기식 DRAM 메모리

W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM
고성능 컴퓨팅 애플리케이션에 최적화된 고속 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리입니다.
제품 개요
W9825G6JH는 4M 워드 x 4 뱅크 x 16비트로 구성된 고속 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리(SDRAM)입니다. 이 메모리 모듈은 최대 초당 200M 워드의 뛰어난 데이터 대역폭(-5 등급)을 제공하며 개인용 컴퓨터 산업 표준을 완벽하게 준수하도록 설계되었습니다.
속도 등급 사양
다양한 성능 요구 사항을 충족하기 위해 여러 속도 등급으로 제공됩니다:
부품 번호 속도 등급 자가 새로고침 전류(최대) 작동 온도
W9825G6JH-5 200MHz/CL3 2mA 0°C ~ 70°C
W9825G6JH-6 166MHz/CL3 또는 133MHz/CL2 2mA 0°C ~ 70°C
W9825G6JH-6I 166MHz/CL3 2mA -40°C ~ 85°C
W9825G6JH-75 133MHz/CL3 2mA 0°C ~ 70°C
주요 기능
  • 3.3V ± 0.3V 전원 공급
  • 최대 200MHz 클럭 주파수
  • 4,194,304 워드 x 4 뱅크 x 16비트 구성
  • 자가 새로고침 모드: 표준 및 저전력
  • CAS 지연: 2 및 3
  • 버스트 길이: 1, 2, 4, 8 및 전체 페이지
  • 버스트 읽기, 단일 쓰기 모드
  • LDQM, UDQM으로 제어되는 바이트 데이터
  • 파워 다운 모드
  • 자동 사전 충전 및 제어 사전 충전
  • 8K 새로고침 주기/64mS
  • LVTTL 인터페이스
  • TSOP II 54핀, 400mil - 0.80 패키징
  • RoHS 준수 무연 재료
기술 사양
W9825G6JH는 최적화된 성능을 위한 프로그래밍 가능한 모드 레지스터를 갖춘 버스트 지향 액세스를 특징으로 합니다. 한 페이지 내의 연속 메모리 위치는 1, 2, 4, 8 또는 전체 페이지의 버스트 길이로 액세스할 수 있습니다. 다중 뱅크 아키텍처는 내부 뱅크 간의 인터리빙을 가능하게 하여 사전 충전 시간을 최소화하므로 고성능 애플리케이션의 메인 메모리에 이상적입니다.
제품 이미지
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포장 및 배송
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자주 묻는 질문
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