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| 상품의 카탈로그: | 메모리> 동적 임의 액세스 메모리 (DRAM) | 일반 목적 포장: | FBGA-96 |
|---|---|---|---|
| 설치 방법: | 표면 실장 설치 | 작업 온도: | 95 ℃ (최대) |
| 최대 작업 공급 전압: | 1.575V | 최소 작업 공급 전압: | 1.425V |
| 조직: | 256MX16 | 데이터 버스 폭: | 16Bit |
| 강조하다: | 512MB 16비트 DRAM 메모리 칩,DRAM 메모리 칩 1.575V,H5TQ4G63EFR-RDC |
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| 속성 | 가치 |
|---|---|
| 상품 목록 | 메모리 > 동적 무작위 액세스 메모리 (DRAM) |
| 일반용 포장재 | FBGA-96 |
| 설치 방법 | 표면 장착 장치 |
| 작동 온도 | 95°C (최대) |
| 최대 작동 공급 전압 | 1.575V |
| 최소 작동 공급 전압 | 1.425V |
| 조직 | 256MX16 |
| 데이터 버스 너비 | 16비트 |
| 저장 용량 | 512MB |
| 길이 × 너비 × 높이 | 13mm × 7.5mm × 760μm |
| RoHS | 준수 |
DRAM 동적 무작위 액세스 메모리 칩 512MB 16비트 FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC는 4,294,967,296비트 CMOS 듀얼 데이터 레이트 III (DDR3) 동기 DRAM, 고밀도 메모리와 높은 대역폭을 필요로 하는 메인 메모리 애플리케이션에 매우 적합합니다.
SK 하이닉스 4Gb DDR3 SDRAM는 시계의 상승 및 하락 가장자리를 참조하여 완전히 동기 작동을 제공합니다. 모든 주소 및 제어 입력은 CK의 상승 가장자리에 고정되어 있으며 데이터,데이터 스트로브와 기록 데이터 마스크 입력 양쪽 상승 및 하락 가장자리에 샘플링됩니다.
표준 수출 패키지 사용 가능. 고객은 요구 사항에 따라 카튼, 나무 케이스 및 나무 팔렛을 선택할 수 있습니다.
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