تراشه حافظه DRAM 512MB 16bit 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

تراشه حافظه دسترسی تصادفی پویا DRAM 512MB 16-bit FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC یک 4 است،294,967،296 بیت CMOS دوسرعت داده III (DDR3) DRAM هم زمان، بسیار مناسب برای برنامه های حافظه اصلی که نیاز به حافظه با تراکم بالا و پهنای باند بالا دارند.

SK Hynix 4Gb DDR3 SDRAM عملکرد کاملاً همزمان را ارائه می دهد ، با توجه به لبه های رو به بالا و پایین ساعت.داده های strobes و ماسک داده های نوشتن ورودی در هر دو لبه های رو به بالا و پایین نمونه برداری می شود.

• VDD=VDDQ=1.5V ± 0.075V
• ورودی ساعت کاملاً فرقی (CK، CK)
• شماره ارتباطات انتخاب داده های تفاوتی (DQS، DQS)
• هماهنگی DLLS روی تراشه با انتقال DQ، DQS و DQS
• ماسک DM داده ها را به لبه های رو به بالا / پایین از سیگنال انتخاب داده می نویسد
• از تاخیرهای CAS قابل برنامه ریزی 5 پشتیبانی می کند،6,7,8,9,10,1113 و 14
• طول انفجار قابل برنامه ریزی 4/8 با الگوهای دنباله دار و متقاطع
• ۸ واحد ذخیره سازی
• گزینه های دمای تجاری (0°C تا 95°C) ، صنعتی (-40°C تا 95°C) و خودرو (-40°C تا 105°C)
• JEDEC استاندارد 78 توپ FBGA ((x8) ، 96 توپ FBGA ((x16)
• معماری 8 بیتی prefetch

بسته بندی صادراتی استاندارد در دسترس است. مشتریان می توانند از کارتونی، پرونده های چوبی و پالت های چوبی بر اساس نیازهای خود انتخاب کنند.