حالا حرف بزن |
خانه محصولاتتراشه حافظه DRAM

تراشه حافظه رم 2 گیگابایتی F Die DRAM حافظه دسترسی تصادفی پویا DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

همه محصولات

آرایه دروازه قابل برنامه ریزی FPGA

(19)

واحد میکروکنترلر MCU

(17)

سیستم روی تراشه (SOC)

(11)

IC MPU

(9)

آرایه دروازه منطقی قابل برنامه ریزی

(9)

دتکتور حرارتی مادون قرمز

(1)

تراشه آی سی DSP

(12)

تراشه حافظه DRAM

(12)

تراشه EEPROM

(10)

تراشه PSRAM

(5)

تراشه SRAM

(15)

فلاش NOR

(12)

آی سی ایپرام

(7)

آی‌سی UART

(8)

ADC DAC

(8)

مدارهای یکپارچه RF

(10)

باتری لیتیوم یونی

(21)

برنامه نویسی PLC

(14)

ماژول GPS

(9)

ماژول فرکانس رادیویی

(9)

ماژول برق

(11)

رله حالت جامد

(11)

آنتن ارتباطی

(3)
چت IM آنلاین در حال حاضر

تراشه حافظه رم 2 گیگابایتی F Die DRAM حافظه دسترسی تصادفی پویا DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

2Gb F Die DRAM Memory Chip Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA
2Gb F Die DRAM Memory Chip Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA 2Gb F Die DRAM Memory Chip Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA 2Gb F Die DRAM Memory Chip Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

تصویر بزرگ :  تراشه حافظه رم 2 گیگابایتی F Die DRAM حافظه دسترسی تصادفی پویا DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

جزئیات محصول:
محل منبع: KR
نام تجاری: SAMSUNG
گواهی: ROHS
شماره مدل: K4B2G1646F-BCMA
سند: f9992365253dbc5e910d785c265...26.pdf
پرداخت:
مقدار حداقل تعداد سفارش: 1
قیمت: CONSULT WITH
جزئیات بسته بندی: T/R
زمان تحویل: 5-8 روز
شرایط پرداخت: وسترن یونیون، T/T
قابلیت ارائه: 100000
مخاطب حالا حرف بزن

تراشه حافظه رم 2 گیگابایتی F Die DRAM حافظه دسترسی تصادفی پویا DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

شرح
کاتالوگ محصول: حافظه> حافظه دسترسی تصادفی پویا (DRAM) بسته بندی جهانی: BGA ， FBGA
RoHS: انطباق روش نصب: نصب سطحی
دمای کار: 0 ℃ ~ 95 ℃ طول * عرض * قد: 13.3mm*750cm*1.1mm
نمره کاربرد: درجه تجاری روش بسته بندی: پالت
برجسته کردن:

تراشه حافظه رم 2 گیگابایتی,حافظه دسترسی تصادفی پویا F die,K4B2G1646F-BCMA

,

F die Dynamic Random Access Memory

,

K4B2G1646F-BCMA

حافظه دسترسی تصادفی پویا DRAM 2GB F-die DDR3 SDRAM X16 K4B2G1646F-BCMA
مشخصات محصول
ویژگی ارزش
کاتالوگ محصول حافظه > حافظه دسترسی تصادفی پویا (DRAM)
بسته بندی جهانی BGA، FBGA
RoHS رعایت
روش نصب نصب روی سطح
دمای کار 0°C تا 95°C
ابعاد (L × W × H) 13.3mm × 750cm × 1.1mm
درجه کاربرد درجه تجاری
روش بسته بندی پالت
حداقل ولتاژ منبع برق کار 1.425 ولت
سازمان 128Mx16
عرض اتوبوس داده 16bit
نوع رابط SSTL_1.5
ظرفیت ذخیره سازی 256Mb
حداکثر جریان تغذیه 134mA
حداکثر ولتاژ منبع برق کاری 1.575 ولت
جزئیات فنی

حافظه دسترسی تصادفی پویا DRAM 2GB F-die DDR3 SDRAM X16 K4B2G1646F-BCMA

  • منبع برق استاندارد JEDEC 1.5v + 0.075V
  • VDoo = 1.5V + 0.075V
  • 400 MHz fcx برای 800Mb/sec/pin، 533MHz fck برای 1066Mb/sec/pin، 667MHz fck برای 1333Mb/sec/pin، 800MHz fck برای 1600Mb/sec/pin، 933MHz fck برای 1866Mb/sec/pin، 1066MHz fck برای 2133Mb/sec/pin
  • 8 بانک ها
  • تاخیر CAS قابل برنامه ریزی (CAS ارسال شده): 56,7,8,9,10,11,13,14
  • تاخیر افزوده قابل برنامه ریزی: ساعت 0، CL-2 یا CL-1
  • تاخیر نوشتن CAS قابل برنامه ریزی (CWL) =5 ((DDR3-800) ،6 ((DDR3-1066) ،7 ((DDR3-1333) ،8 ((DDR3-1600) ،9 ((DDR3-1866) ،10 ((DDR3-2133)
  • 8-bit pre-fetch
  • طول انفجار: 8 (تداخل بدون هیچ محدودیتی، دنباله ای با آدرس شروع "000" فقط) ، 4 با tCCD = 4 که اجازه خواندن و یا نوشتن یکپارچه را نمی دهد
  • دو طرفه دیفرانسیل داده-ستروب
  • 2Gb DDR3 SDRAM F-die به عنوان یک دستگاه 16Mbit x 16 IO x 8 بانک سازماندهی شده است
  • کالیبراسیون داخلی (خود) در پایان گیری از طریق پین ODT
  • تنظیم مجدد غیرمستقیم
  • بسته بندی: 96 توپ FBGA-x16
  • تمام محصولات بدون سرب مطابق با RoHS هستند
  • تمام محصولات بدون هالوجن هستند
تصاویر محصول
تراشه حافظه رم 2 گیگابایتی F Die DRAM حافظه دسترسی تصادفی پویا DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA 0 تراشه حافظه رم 2 گیگابایتی F Die DRAM حافظه دسترسی تصادفی پویا DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA 1 تراشه حافظه رم 2 گیگابایتی F Die DRAM حافظه دسترسی تصادفی پویا DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA 2
بسته بندی و حمل و نقل
  • بسته بندی استاندارد صادرات
  • مشتریان می توانند با توجه به نیازهای خود از کارتون ها، جعبه های چوبی و پالت های چوبی انتخاب کنند
پرسش های مکرر
1چطور ميتونم قيمتش رو بدست بيارم؟

ما معمولاً در عرض 24 ساعت پس از دریافت درخواست شما (به جز تعطیلات آخر هفته و تعطیلات) نقل قول می کنیم. اگر به قیمت فوری نیاز دارید، لطفاً برای پاسخ سریعتر مستقیماً با ما تماس بگیرید.

2زمان تحویل شما چقدره؟

معمولاً 7 تا 15 روز برای دسته های کوچک، حدود 30 روز برای دسته های بزرگ، بسته به مقدار سفارش و فصل.

3شرايط پرداخت شما چيه؟

قیمت کارخانه، ۳۰ درصد سپرده، ۷۰ درصد پرداخت قبل از ارسال.

4روش حمل و نقل چي هست؟

در دسترس توسط حمل و نقل دریایی، هوایی یا صریح (EMS، UPS، DHL، TNT، FEDEX، و غیره). لطفا قبل از سفارش با ما تایید کنید.

5چطور به کسب و کارمون کمک ميکني تا رابطه ي بلندمدت برقرار کنيم؟

ما کیفیت خوب و قیمت رقابتی را برای اطمینان از مزایای مشتری حفظ می کنیم. ما به هر مشتری احترام می گذاریم و به روابط تجاری بلند مدت ارزش می گذاریم.

برچسب:

تراشه DRAM,تراشه dram,تراشه های حافظه درام,

تراشه حافظه رم 2 گیگابایتی,حافظه دسترسی تصادفی پویا F die,K4B2G1646F-BCMA,

dram memory chips

اطلاعات تماس
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

تماس با شخص: Mr. Sun

تلفن: 18824255380

ارسال درخواست خود را به طور مستقیم به ما (0 / 3000)

در باره

واحد میکروکنترلر MCU

UART SPI MCU میکروکنترلر بازو Cortex-A35 میکرو پروسسور تراشه MA35D16F887C

Atmel 8 Bit MCU مایکروکنترلر واحد 16 32KBytes برنامه ریزی قابل فلش ATMEGA168PA-AU

واحد ۱۲۸ کیلوبایت ۸ بیتی MCU واحد میکروکنترلر تراشه میکروکامپیوتر هسته AVR ATMEGA128A-AU

آرایه دروازه قابل برنامه ریزی FPGA

75520LE 11800ALM CPLD Field Programmable Device Logic Array XC7A75T-2FGG484I

9152LE 200I/O آرایه دروازه ای میدانی تراشه دستگاه منطقی آرایه قابل برنامه ریزی XC6SLX9-2CSG324I

2 تراشه CPLD 32 کیلوبایتی، تراشه های منطق قابل برنامه ریزی 85000LE XC7Z020-2CLG484I

پیغام بگذارید

سیاست حفظ حریم خصوصی | چین خوب کیفیت آرایه دروازه قابل برنامه ریزی FPGA تامین کننده. © 2025 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.