تراشه حافظه رم 2 گیگابایتی F Die DRAM حافظه دسترسی تصادفی پویا DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

حافظه دسترسی تصادفی پویا DRAM 2GB F-die DDR3 SDRAM X16 K4B2G1646F-BCMA

• منبع برق استاندارد JEDEC 1.5v + 0.075V
• VDoo = 1.5V + 0.075V
• 400 MHz fcx برای 800Mb/sec/pin، 533MHz fck برای 1066Mb/sec/pin، 667MHz fck برای 1333Mb/sec/pin، 800MHz fck برای 1600Mb/sec/pin، 933MHz fck برای 1866Mb/sec/pin، 1066MHz fck برای 2133Mb/sec/pin
• 8 بانک ها
• تاخیر CAS قابل برنامه ریزی (CAS ارسال شده): 56,7,8,9,10,11,13,14
• تاخیر افزوده قابل برنامه ریزی: ساعت 0، CL-2 یا CL-1
• تاخیر نوشتن CAS قابل برنامه ریزی (CWL) =5 ((DDR3-800) ،6 ((DDR3-1066) ،7 ((DDR3-1333) ،8 ((DDR3-1600) ،9 ((DDR3-1866) ،10 ((DDR3-2133)
• 8-bit pre-fetch
• طول انفجار: 8 (تداخل بدون هیچ محدودیتی، دنباله ای با آدرس شروع "000" فقط) ، 4 با tCCD = 4 که اجازه خواندن و یا نوشتن یکپارچه را نمی دهد
• دو طرفه دیفرانسیل داده-ستروب
• 2Gb DDR3 SDRAM F-die به عنوان یک دستگاه 16Mbit x 16 IO x 8 بانک سازماندهی شده است
• کالیبراسیون داخلی (خود) در پایان گیری از طریق پین ODT
• تنظیم مجدد غیرمستقیم
• بسته بندی: 96 توپ FBGA-x16
• تمام محصولات بدون سرب مطابق با RoHS هستند
• تمام محصولات بدون هالوجن هستند