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Chip de memoria DRAM F Die de 2 Gb, memoria de acceso aleatorio dinámico DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

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Chip de memoria DRAM F Die de 2 Gb, memoria de acceso aleatorio dinámico DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Chip de memoria DRAM F Die de 2 Gb, memoria de acceso aleatorio dinámico DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA
Chip de memoria DRAM F Die de 2 Gb, memoria de acceso aleatorio dinámico DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA Chip de memoria DRAM F Die de 2 Gb, memoria de acceso aleatorio dinámico DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA Chip de memoria DRAM F Die de 2 Gb, memoria de acceso aleatorio dinámico DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Ampliación de imagen :  Chip de memoria DRAM F Die de 2 Gb, memoria de acceso aleatorio dinámico DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Datos del producto:
Lugar de origen: KR
Nombre de la marca: SAMSUNG
Certificación: ROHS
Número de modelo: Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Documento: f9992365253dbc5e910d785c265...26.pdf
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: CONSULT WITH
Detalles de empaquetado: T/R
Tiempo de entrega: 5-8day
Condiciones de pago: En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones:
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto Ahora Charle

Chip de memoria DRAM F Die de 2 Gb, memoria de acceso aleatorio dinámico DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

descripción
Catálogo de producto: Memoria > Memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM) Empaquetado universal: BGA, FBGA
Protección de la salud: El cumplimiento Método de instalación: Instalación de montaje en superficie
Temperatura de funcionamiento: 0℃~95℃ Duración * Ancho * Altura: 13.3mm*750cm*1.1mm
Calificación de la solicitud: calidad comercial Método de envasado: Palé
Resaltar:

Chip de memoria DRAM de 2 Gb

,

Memoria de acceso aleatorio dinámico F die

,

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Memoria de acceso aleatorio dinámico DRAM 2GB F-DIE DDR3 SDRAM X16 K4B2G1646F-BCMA
Especificaciones del producto
Atributo Valor
Catálogo de productos Memoria> Memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM)
Embalaje universal BGA, FBGA
ROHS Cumplimiento
Método de instalación Instalación de montaje en superficie
Temperatura de funcionamiento 0 ℃ ~ 95 ℃
Dimensiones (L × W × H) 13.3 mm × 750 cm × 1.1 mm
Calificación de la aplicación Grado comercial
Método de embalaje Paleta
Voltaje mínimo de la fuente de alimentación de trabajo 1.425V
Organización 128mx16
Ancho de bus de datos 16 bits
Tipo de interfaz SSTL_1.5
Capacidad de almacenamiento 256 MB
Corriente de suministro máxima 134mA
Voltaje máximo de la fuente de alimentación de trabajo 1.575V
Detalle técnico

Memoria de acceso aleatorio dinámico DRAM 2GB F-DIE DDR3 SDRAM X16 K4B2G1646F-BCMA

  • Jedec Standard 1.5V + 0.075V Fuente de alimentación
  • VDOO = 1.5V + 0.075V
  • 400 MHz FCX para 800mb/seg/pin, 533MHz FCK para 1066mb/seg/pin, 667MHz FCK para 13333mb/seg/pin, 800MHz FCK para 1600mb/seg/pin, 933mhz FCK para 18666MB/SEC/PIN, 1066MHC FCK para 213mb/SEC/SEC/SEC/SEC/SEC/SEC/SEC/SEC/SEC/SEC
  • 8 bancos
  • Latencia CAS programable (publicado CAS): 5,6,7,8,9,10,11,13,14
  • Latencia aditiva programable: reloj 0, CL-2 o CL-1
  • Latencia de escritura CAS programable (CWL) = 5 (DDR3-800), 6 (DDR3-1066), 7 (DDR3-1333), 8 (DDR3-1600), 9 (DDR3-1866), 10 (DDR3-2133)
  • Pre-FOCHT de 8 bits
  • Longitud de explosión: 8 (Interleve sin límite, secuencial con la dirección inicial "000" solo), 4 con tccd = 4 que no permite leer o escribir sin costuras
  • Estancamiento de datos diferenciales bidireccionales
  • El 2GB DDR3 SDRAM F-Die está organizado como un dispositivo de bancos iOS x 8 de 16 mbit x 16
  • Calibración interna (self) en la terminación de la matriz usando PIN ODT
  • Reinicio asíncrono
  • Paquete: 96 bolas FBGA-X16
  • Todos los productos sin plomo cumplen con ROHS
  • Todos los productos están libres de halógenos
Imágenes de productos
Chip de memoria DRAM F Die de 2 Gb, memoria de acceso aleatorio dinámico DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA 0 Chip de memoria DRAM F Die de 2 Gb, memoria de acceso aleatorio dinámico DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA 1 Chip de memoria DRAM F Die de 2 Gb, memoria de acceso aleatorio dinámico DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA 2
Embalaje y transporte
  • Embalaje de exportación estándar
  • Los clientes pueden elegir entre cajas de cartones, estuches de madera y paletas de madera de acuerdo con sus requisitos
Preguntas frecuentes
1. ¿Cómo obtener el precio?

Por lo general, cotizamos dentro de las 24 horas posteriores a la recepción de su consulta (excepto los fines de semana y las vacaciones). Si necesita un precio urgente, contáctenos directamente para una respuesta más rápida.

2. ¿Cuál es su tiempo de entrega?

Típicamente de 7 a 15 días para lotes pequeños, aproximadamente 30 días para lotes grandes, dependiendo de la cantidad y temporada del pedido.

3. ¿Cuáles son sus términos de pago?

Precio de fábrica, 30% de depósito, 70% de pago T/T antes del envío.

4. ¿Cuál es el modo de transporte?

Disponible por entrega de mar, aire o expreso (EMS, UPS, DHL, TNT, FedEx, etc.). Confirme con nosotros antes de ordenar.

5. ¿Cómo ayuda a nuestro negocio a establecer una relación a largo plazo?

Mantenemos los precios competitivos y de buena calidad para garantizar los beneficios del cliente. Respetamos a todos los clientes y valoramos las relaciones comerciales a largo plazo.

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Chips de memoria de la copita

Contacto
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Persona de Contacto: Mr. Sun

Teléfono: 18824255380

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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