2Gb F ডাই DRAM মেমরি চিপ ডাইনামিক র্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমরি DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

ডায়নামিক র‍্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমরি DRAM 2Gb F-die DDR3 SDRAM X16 K4B2G1646F-BCMA

• JEDEC স্ট্যান্ডার্ড 1.5v + 0.075V পাওয়ার সাপ্লাই
• VDoo = 1.5V + 0.075V
• 400 MHz fcx for 800Mb/sec/pin, 533MHz fck for 1066Mb/sec/pin, 667MHz fck for 1333Mb/sec/pin, 800MHz fck for 1600Mb/sec/pin, 933MHz fck for 1866Mb/sec/pin, 1066MHz fck for 2133Mb/sec/pin
• 8 ব্যাংক
• প্রোগ্রামেবল CAS ল্যাটেন্সি (পোস্ট করা CAS): 5,6,7,8,9,10,11,13,14
• প্রোগ্রামেবল অ্যাডিটিভ ল্যাটেন্সি: 0, CL-2 বা CL-1 ক্লক
• প্রোগ্রামেবল CAS রাইট ল্যাটেন্সি (CWL)=5(DDR3-800),6(DDR3-1066),7(DDR3-1333),8(DDR3-1600),9(DDR3-1866),10(DDR3-2133)
• 8-বিট প্রি-ফেচ
• burst দৈর্ঘ্য: 8 (কোন সীমা ছাড়াই ইন্টারলিভ, শুধুমাত্র "000" শুরু ঠিকানা সহ ক্রমিক), tCCD = 4 সহ 4 যা নির্বিঘ্ন পড়া বা লেখার অনুমতি দেয় না
• দ্বি-দিকনির্দেশক ডিফারেনশিয়াল ডেটা-স্ট্রোব
• 2Gb DDR3 SDRAM F-die একটি 16Mbit x 16 IOs x 8 ব্যাংক ডিভাইস হিসাবে সংগঠিত
• অভ্যন্তরীণ (স্ব-নিরূপণ) অন ডাই টার্মিনেশন ODT পিন ব্যবহার করে
• অ্যাসিঙ্ক্রোনাস রিসেট
• প্যাকেজ: 96 বল FBGA-x16
• সমস্ত লিড-ফ্রি পণ্য RoHS-এর সাথে সঙ্গতিপূর্ণ
• সমস্ত পণ্য হ্যালোজেন-মুক্ত