512MB 16 বিট DRAM মেমরি চিপ 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

DRAM ডাইনামিক র‍্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমরি চিপ 512MB 16-বিট FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC হল একটি 4,294,967,296-বিট CMOS ডুয়াল ডেটা রেট III (DDR3) সিঙ্ক্রোনাস DRAM, যা উচ্চ-ঘনত্বের মেমরি এবং উচ্চ ব্যান্ডউইথ প্রয়োজন এমন প্রধান মেমরি অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য অত্যন্ত উপযুক্ত।

SK Hynix 4Gb DDR3 SDRAM সম্পূর্ণরূপে সিঙ্ক্রোনাস অপারেশন অফার করে, যা ক্লকের উত্থান এবং পতনের প্রান্তের সাথে সম্পর্কিত। সমস্ত ঠিকানা এবং নিয়ন্ত্রণ ইনপুটগুলি CK এর উত্থান প্রান্তে ল্যাচ করা হয়, যখন ডেটা, ডেটা স্ট্রোব এবং রাইট ডেটা মাস্ক ইনপুটগুলি উত্থান এবং পতন উভয় প্রান্তেই নমুনা করা হয়।

• VDD=VDDQ=1.5V ± 0.075V
• সম্পূর্ণ ডিফারেনশিয়াল ক্লক ইনপুট (CK, CK)
• ডিফারেনশিয়াল ডেটা নির্বাচন যোগাযোগ সংখ্যা (DQS, DQS)
• DQ, DQS, এবং DQS ট্রানজিশনের সাথে অন-চিপ DLLS সারিবদ্ধ করুন
• DM মাস্ক ডেটা নির্বাচন সংকেতের উত্থান/পতন প্রান্তে ডেটা লেখে
• 5,6,7,8,9,10,11,13 এবং 14 এর প্রোগ্রামযোগ্য CAS বিলম্ব সমর্থন করে
• সিকোয়েন্সিয়াল এবং ইন্টারলিভড প্যাটার্ন সহ 4/8 এর প্রোগ্রামযোগ্য বার্স্ট দৈর্ঘ্য
• 8 স্টোরেজ ইউনিট
• বাণিজ্যিক (0°C থেকে 95°C), শিল্প (-40°C থেকে 95°C), এবং স্বয়ংচালিত (-40°C থেকে 105°C) তাপমাত্রা বিকল্প
• JEDEC স্ট্যান্ডার্ড 78-বল FBGA(x8), 96-বল FBGA(x16)
• 8-বিট প্রিফেচ আর্কিটেকচার

স্ট্যান্ডার্ড রপ্তানি প্যাকেজিং উপলব্ধ। গ্রাহকরা প্রয়োজন অনুযায়ী কার্টন, কাঠের কেস এবং কাঠের প্যালেট থেকে বেছে নিতে পারেন।