شريحة ذاكرة 512MB 16bit DRAM 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

DRAM DIMIC RANDAY ACCESS MEMORY CHIP 512MB 16-BIT FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC عبارة عن دراما متزامنة 4،294،967،296 بت تتطلب ذاكرة عالية الكثافة ودافلة عالية.

يوفر SK Hynix 4GB DDR3 SDRAM عملية متزامنة بالكامل ، في إشارة إلى حواف الساعة الصاعدة والسقوط. يتم إغلاق جميع مدخلات العناوين والتحكم في الحافة الصاعدة لـ CK ، في حين يتم أخذ عينات من البيانات والبيانات وكتابة أقنعة البيانات في كل من حواف الارتفاع والسقوط.

• VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V
• مدخلات الساعة التفاضلية بالكامل (CK ، CK)
• رقم اتصال البيانات التفاضلية (DQS ، DQS)
• قم بمحاذاة DLLs على الرقاقة مع انتقال DQ و DQS و DQS
• يكتب Mask DM البيانات إلى حواف الارتفاع/المتساقطة لإشارة اختيار البيانات
• يدعم تأخيرات CAS القابلة للبرمجة البالغة 5،6،7،8،9،10،11،13 و 14
• طول الانفجار القابل للبرمجة 4/8 مع أنماط متتابعة ومتشابكة
• 8 وحدات التخزين
• تجاري (0 درجة مئوية إلى 95 درجة مئوية) ، صناعي (-40 درجة مئوية إلى 95 درجة مئوية) ، وخيارات درجة الحرارة (-40 درجة مئوية إلى 105 درجة مئوية)
• JEDEC Standard 78-Ball FBGA (X8) ، 96 Ball FBGA (X16)
• بنية الجعة 8 بت

عبوة التصدير القياسية المتاحة. يمكن للعملاء الاختيار من بين الكرتونات والحالات الخشبية والمنصات الخشبية وفقًا للمتطلبات.