512MB 16 bit DRAM Bellek Çip 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

DRAM dinamik rastgele erişim bellek çipi 512MB 16-bit FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC, yüksek yoğunluklu bellek ve yüksek bandwidth gerektiren ana bellek uygulamaları için son derece uygun olan 4,294,967,296 bit CMOS çift veri hızı III (DDR3) senkron DRAM'dır.

SK Hynix 4GB DDR3 SDRAM, saatin yükselen ve düşen kenarlarına atıfta bulunarak tamamen senkronize çalışma sunar. Tüm adres ve kontrol girişleri CK'nin yükselen kenarında kilitlenirken, veri, veri flaşları ve yazma veri maskeleri girişleri hem yükselen hem de düşen kenarlarda örneklenir.

• VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V
• Tamamen farklı saat girişi (CK, CK)
• Diferansiyel Veri Seçimi İletişim Numarası (DQS, DQS)
• Çip üstü DLL'leri DQ, DQ ve DQS geçişiyle hizalayın
• DM Maske, veri seçimi sinyalinin yükselen/düşen kenarlarına veri yazar
• 5,6,7,8,10,11,13 ve 14 programlanabilir CAS gecikmelerini destekler
• Sıralı ve ara desenlerle 4/8 programlanabilir patlama uzunluğu
• 8 Depolama Birimi
• Ticari (0 ° C ila 95 ° C), endüstriyel (-40 ° C ila 95 ° C) ve otomotiv (-40 ° C ila 105 ° C) sıcaklık seçenekleri
• JEDEC Standard 78-Ball FBGA (X8), 96-Ball FBGA (X16)
• 8-bit ön yarma mimarisi

Standart ihracat ambalajı mevcuttur. Müşteriler, gereksinimlere göre kartonlar, ahşap kılıflar ve ahşap paletler arasından seçim yapabilir.