512MB 16bit DRAM geheugenchip 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

DRAM dynamische geheugen chip 512MB 16-bits FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC is een 4,294,967,296-bits CMOS dual data rate III (DDR3) synchrone DRAM, zeer geschikt voor hoofdgeheugentoepassingen waarvoor geheugen met een hoge dichtheid en een grote bandbreedte nodig zijn.

SK Hynix 4Gb DDR3 SDRAM biedt volledig synchrone werking, verwijzend naar de stijgende en dalende randen van de klok.Gegevensstrobes en schrijfgegevensmaskers worden zowel op stijgende als op dalende randen gesampled.

• VDD=VDDQ=1,5V ± 0,075V
• Volledig differentiële klokinvoer (CK, CK)
• Verschilgegevensselectie-communicatienummer (DQS, DQS)
• Align on-chip DLLS met DQ, DQS en DQS overgang
• DM-masker schrijft gegevens op stijgende/dalende randen van het gegevensselectiesignaal
• Ondersteunt programmeerbare CAS-vertragingen van 5,6,7,8,9,10,11, 13 en 14
• Programmeerbare barstlengte van 4/8 met sequentiële en tussenliggende patronen
• 8 opslagruimtes
• Temperatuuropties voor commerciële (0°C tot 95°C), industriële (-40°C tot 95°C) en automotive (-40°C tot 105°C)
• JEDEC-standaard 78-ball FBGA ((x8), 96-ball FBGA ((x16)
• 8-bits prefetch architectuur

Klanten kunnen volgens hun wensen kiezen uit kartonnen, houten dozen en houten pallets.