512MB 16-Bit DRAM-Speicherchip 1,575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

DRAM Dynamic Random Access Memory Chip 512MB 16-Bit FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC ist ein 4,294.967.296-Bit-CMOS-Dualdatenrate III (DDR3) Synchronous-Dram, der für Hauptspeicher-Anwendungen geeignet ist, die hochdichte und memory und bandwiddiert werden müssen.

SK HYNIX 4GB DDR3 SDRAM bietet einen vollständig synchronen Betrieb und bezieht sich auf die steigenden und fallenden Kanten der Uhr. Alle Adress- und Steuereingänge werden an der steigenden Kante von CK verriegelt, während Daten-, Daten -Strobum- und Schreibdatenmaskeneingänge sowohl an steigenden als auch an fallenden Kanten abgetastet werden.

• Vdd = vddq = 1,5 V ± 0,075 V
• Volldifferential Takteingabe (CK, CK)
• Kommunikationsnummer der Differentialdatenauswahl (DQS, DQS)
• Richten Sie On-Chip-DLLs mit DQ-, DQS- und DQS-Übergang aus
• DM Mask schreibt Daten an steigende/fallende Kanten des Datenauswahlsignals
• Unterstützt programmierbare CAS -Verzögerungen von 5,6,7,8,9,10,11,13 und 14
• Programmierbare Burstlänge von 4/8 mit sequentiellen und verschachtelten Mustern
• 8 Speichereinheiten
• Kommerziell (0 ° C bis 95 ° C), Industrie (-40 ° C bis 95 ° C) und Automobile (-40 ° C bis 105 ° C) Temperaturoptionen
• JEDEC Standard 78-Ball FBGA (x8), 96-Ball-FBGA (x16)
• 8-Bit-Prefetch-Architektur

Standard -Exportverpackung verfügbar. Kunden können aus Kartons, Holzkoffern und Holzpaletten entsprechend den Anforderungen auswählen.