Chip Memori DRAM 512MB 16bit 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

Chip memori akses acak dinamis DRAM 512MB 16-bit FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC adalah 4,294,967,296-bit CMOS dual data rate III (DDR3) DRAM sinkron, sangat cocok untuk aplikasi memori utama yang membutuhkan memori kepadatan tinggi dan bandwidth tinggi.

SK Hynix 4Gb DDR3 SDRAM menawarkan operasi sepenuhnya sinkron, merujuk pada tepi naik dan turun dari jam.Data strobes dan tulis masker data input disampel pada kedua tepi naik dan turun.

• VDD = VDDQ = 1,5V ± 0,075V
• Input jam diferensial penuh (CK, CK)
• Nomor komunikasi pemilihan data diferensial (DQS, DQS)
• Selaraskan DLLS pada chip dengan transisi DQ, DQS, dan DQS
• DM mask menulis data ke tepi naik / turun dari sinyal pemilihan data
• Mendukung keterlambatan CAS yang dapat diprogram 5,6,7,8,9,10,11, 13 dan 14
• Panjang ledakan yang dapat diprogram 4/8 dengan pola berurutan dan berlapis
• 8 unit penyimpanan
• Pilihan suhu komersial (0°C sampai 95°C), industri (-40°C sampai 95°C), dan otomotif (-40°C sampai 105°C)
• JEDEC standar 78-bola FBGA ((x8), 96-bola FBGA ((x16)
• Arsitektur prefetch 8-bit

Paket ekspor standar tersedia. Pelanggan dapat memilih dari karton, kasus kayu dan palet kayu sesuai dengan kebutuhan.