Chip de memória DRAM de 512MB 16 bits 1,575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

O chip de memória de acesso aleatório dinâmico DRAM de 512 MB de 16 bits FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC é um 4,294,967,296-bit CMOS dual data rate III (DDR3) DRAM síncrona, altamente adequada para aplicações de memória principal que requerem memória de alta densidade e largura de banda elevada.

A SK Hynix 4Gb DDR3 SDRAM oferece operação totalmente síncrona, referindo-se às bordas ascendentes e descendentes do relógio.Estroboscópios de dados e mascaras de dados de gravação são amostras de entradas em ambos os bordos ascendentes e descendentes.

• VDD=VDDQ=1,5V ± 0,075V
• Entrada de relógio totalmente diferencial (CK, CK)
• Número de comunicação de seleção de dados diferenciais (DQS, DQS)
• Alinhar DLLS on-chip com transição DQ, DQS e DQS
• DM mascara escreve dados para as bordas ascendentes / descendentes do sinal de seleção de dados
• Suporta atrasos CAS programáveis de 5,6,7,8,9,10,11, 13 e 14
• comprimento de rajada programável de 4/8 com padrões sequenciais e entrelaçados
• 8 unidades de armazenamento
• Opções de temperatura comerciais (0°C a 95°C), industriais (-40°C a 95°C) e automotivas (-40°C a 105°C)
• JEDEC padrão FBGA de 78 bolas (x8), FBGA de 96 bolas (x16)
• Arquitetura de prefetch de 8 bits

Embalagem de exportação padrão disponível. Os clientes podem escolher entre caixas de papelão, caixas de madeira e paletes de madeira de acordo com as necessidades.