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Chip de memória da GOLE

China Chip de memória da GOLE

Chip de memória DRAM FBGA-200 8Gb X16 X2 Canal LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

Catálogo de produto:Memória > Memória de Acesso Dinâmico Aleatório (DRAM)

Embalagem universal:FBGA-200

ROHS:Conformidade
Chip de memória DRAM F Die de 2 Gb, memória de acesso aleatório dinâmico DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Catálogo de produto:Memória > Memória de Acesso Dinâmico Aleatório (DRAM)

Embalagem universal:BGA, FBGA

ROHS:Conformidade
Chip DRAM DDR3L X16 4Gb Industrial F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

Catálogo de produto:Memória > Memória de Acesso Dinâmico Aleatório (DRAM)

Embalagem universal:FBGA-96

ROHS:Conformidade
Chip de memória DRAM de 512MB 16 bits 1,575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

Catálogo de Produtos:Memória > Memória de Acesso Dinâmico Aleatório (DRAM)

Embalagens de uso geral:FBGA-96

Método de instalação:Instalação de montagem em superfície
Chip de memória DRAM industrial DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

Catálogo de produto:Memória > Memória de Acesso Dinâmico Aleatório (DRAM)

Embalagem universal:FBGA-96

ROHS:Conformidade
512K Bits Chip DRAM SYNCHRONOUS RAM dinâmica IS42S32200L-7BLI

Catálogo de produto:Memória > Memória de Acesso Dinâmico Aleatório (DRAM)

Embalagem universal:BGA

ROHS:Conformidade
Chip de memória DRAM C Die de 8 Gb DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

Catálogo de produto:Memória >Dynamic Random Access Memory DRAM

Embalagem universal:FBGA-96

ROHS:Conformidade
16Gb DDR4 Dram Memory Chips 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

Catálogo de produto:Memória > Memória dinâmica de acesso aleatório

Embalagem universal:FBGA-96

ROHS:Conformidade
W9825G6JH-6I 4M 4BANKS SDRAM Síncrona de Alta Velocidade de Acesso Aleatório Dinâmico

Temperatura operacional:-40℃~+85℃

Tensão operacional:3V~3.6V

Arquitetura de memória (formato):SDRAM
W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Duas transferências de dados por ciclo de relógio

Temperatura operacional:0℃~+85℃

Tensão operacional:1,7 V ~ 1,9 V

Arquitetura de memória (formato):DDR2 SDRAM
W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM Memória de acesso aleatório dinâmico síncrono de alta velocidade

Temperatura operacional:-40℃~+85℃

Tensão operacional:3V~3.6V

Arquitetura de memória (formato):SDRAM
MT40A512M16LY-062E PT:E 8Gb: x8 x16 DDR4 SDRAM Automotivo 1.6GHz 1.14V~1.26V

Temperatura operacional:0℃~+95℃

Tensão operacional:1,14 V ~ 1,26 V

Arquitetura de memória (formato):DDR SDRAM

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Chip de memória DRAM FBGA-200 8Gb X16 X2 Canal LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

Chip de memória DRAM F Die de 2 Gb, memória de acesso aleatório dinâmico DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Chip DRAM DDR3L X16 4Gb Industrial F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

Chip de memória DRAM de 512MB 16 bits 1,575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

Chip de memória DRAM industrial DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

512K Bits Chip DRAM SYNCHRONOUS RAM dinâmica IS42S32200L-7BLI

Chip de memória DRAM C Die de 8 Gb DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

16Gb DDR4 Dram Memory Chips 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

W9825G6JH-6I 4M 4BANKS SDRAM Síncrona de Alta Velocidade de Acesso Aleatório Dinâmico

W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Duas transferências de dados por ciclo de relógio

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM Memória de acesso aleatório dinâmico síncrono de alta velocidade

MT40A512M16LY-062E PT:E 8Gb: x8 x16 DDR4 SDRAM Automotivo 1.6GHz 1.14V~1.26V

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UART SPI MCU Microcontrolador Braço Cortex-A35 Microprocessador Chip MA35D16F887C

Atmel 8 Bit MCU Microcontrolador Unidade 16 32KBytes Flash Programável ATMEGA168PA-AU

128kB 8bit MCU Microcontrolador Unidade AVR Core Microcomputador Chip ATMEGA128A-AU

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