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Chip de memória da GOLE

China Chip de memória da GOLE

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V

Temperatura operacional:0℃~+95℃

Tensão operacional:1,14 V ~ 1,26 V

Arquitetura de memória (formato):DDR4 SDRAM
MT40A512M16LY-075:E 8Gb: Interface Paralela X4 X8 X16 DDR4 SDRAM

Temperatura operacional:0℃~+95℃

Tensão operacional:1,14 V ~ 1,26 V

Arquitetura de memória (formato):DDR SDRAM
W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Dupla taxa de dados Memória de acesso aleatório dinâmico síncrono

Temperatura operacional:0°C~+70°C

Tensão operacional:2,3 V ~ 2,7 V

Arquitetura de memória (formato):DDR SDRAM
W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM Memória de Acesso Aleatório Dinâmico Sincrônico de Alta Velocidade

Temperatura operacional:-40℃~+85℃

Tensão operacional:3V~3.6V

Arquitetura de memória (formato):SDRAM
MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

Temperatura operacional:0℃~+95℃

Tensão operacional:1,425 V ~ 1,575 V

Arquitetura de memória (formato):DDR3 SDRAM
MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

Temperatura operacional:0℃~+95℃

Tensão operacional:1,283 V ~ 1,45 V

Arquitetura de memória (formato):DDR3L SDRAM
MT41J128M16JT-125:K 2GB:X4 X8 X16 DDR3 SDRAM

Temperatura operacional:0℃~+95℃

Tensão operacional:1,425 V ~ 1,575 V

Arquitetura de memória (formato):DDR3 SDRAM
MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

Temperatura operacional:-40℃~+95℃

Tensão operacional:1,283 V ~ 1,45 V

Arquitetura de memória (formato):DDR3L SDRAM
MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

Temperatura operacional:0℃~+95℃

Tensão operacional:1,283 V ~ 1,45 V

Arquitetura de memória (formato):DDR3L SDRAM
Chip de memória DRAM SDRAM DDR3L de baixa tensão de 8 Gbit 1,35V com velocidade de 1600MT/s em pacote FBGA-96

Categoria de produto::Dram

Tipo::SDRAM - DDR3L

Tamanho da memória::8 Gbit
Chip de memória flash NAND

Tipo:Memória flash NAND

Padrão de interface:UFS 2,1

Capacidade:64 GB
FEMDNN008G-08A39 BGA-153 8G EMMC Flash Memory Chip

Tipo de interface:EMMC 5.1

A tensão de trabalho:2.7V a 3.6V

Temperatura operacional:-25 ℃ a +85 ℃

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Chip de memória da GOLE

China Chip de memória da GOLE

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V

MT40A512M16LY-075:E 8Gb: Interface Paralela X4 X8 X16 DDR4 SDRAM

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Dupla taxa de dados Memória de acesso aleatório dinâmico síncrono

W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM Memória de Acesso Aleatório Dinâmico Sincrônico de Alta Velocidade

MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

MT41J128M16JT-125:K 2GB:X4 X8 X16 DDR3 SDRAM

MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

Chip de memória DRAM SDRAM DDR3L de baixa tensão de 8 Gbit 1,35V com velocidade de 1600MT/s em pacote FBGA-96

Chip de memória flash NAND

FEMDNN008G-08A39 BGA-153 8G EMMC Flash Memory Chip

Unidade do microcontrolador de MCU

UART SPI MCU Microcontrolador Braço Cortex-A35 Microprocessador Chip MA35D16F887C

Atmel 8 Bit MCU Microcontrolador Unidade 16 32KBytes Flash Programável ATMEGA168PA-AU

128kB 8bit MCU Microcontrolador Unidade AVR Core Microcomputador Chip ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array

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