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Chip de memoria de la COPITA

China Chip de memoria de la COPITA

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V

Temperatura de funcionamiento:0℃~+95℃

Voltaje de funcionamiento:1,14 V ~ 1,26 V

Arquitectura de memoria (formato):DDR4 SDRAM
MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Interfaz paralela DDR4 SDRAM

Temperatura de funcionamiento:0℃~+95℃

Voltaje de funcionamiento:1,14 V ~ 1,26 V

Arquitectura de memoria (formato):DDR SDRAM
W9425G6KH-5 4 M 4 BANCOS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Memoria de Acceso Aleatorio Dinámica de Doble Velocidad de Datos

Temperatura de funcionamiento:0°C~+70°C

Voltaje de funcionamiento:2,3 V ~ 2,7 V

Arquitectura de memoria (formato):DDR SDRAM
W9864G6KH-6I 1M 4 BANCOS 16 BITS SDRAM Memoria de Acceso Aleatorio Dinámico Síncrono de Alta Velocidad

Temperatura de funcionamiento:-40℃~+85℃

Voltaje de funcionamiento:3V~3.6V

Arquitectura de memoria (formato):SDRAM
MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1,066GHz 1,425V~1,575V

Temperatura de funcionamiento:0℃~+95℃

Voltaje de funcionamiento:1.425V~1.575V

Arquitectura de memoria (formato):DDR3 SDRAM
MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V ~ 1.45V

Temperatura de funcionamiento:0℃~+95℃

Voltaje de funcionamiento:1.283V~1.45V

Arquitectura de memoria (formato):DDR3L SDRAM
MT41J128M16JT-125:K 2Gb:X4 X8 X16 DDR3 SDRAM

Temperatura de funcionamiento:0℃~+95℃

Voltaje de funcionamiento:1.425V~1.575V

Arquitectura de memoria (formato):DDR3 SDRAM
MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

Temperatura de funcionamiento:-40℃~+95℃

Voltaje de funcionamiento:1.283V~1.45V

Arquitectura de memoria (formato):DDR3L SDRAM
MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

Temperatura de funcionamiento:0℃~+95℃

Voltaje de funcionamiento:1.283V~1.45V

Arquitectura de memoria (formato):DDR3L SDRAM
Chip de memoria DRAM SDRAM DDR3L de bajo voltaje de 8 Gbit a 1,35 V con velocidad de 1600 MT/s en paquete FBGA-96

Categoría de producto::Dracma

Tipo::SDRAM-DDR3L

Tamaño de la memoria::8 GB
Chip de memoria flash de 64 GB UFS 2.1 NAND

Tipo:Memoria flash NAND

Estándar de la interfaz:UFS 2,1

Capacidad:64 GB
FEMDNN008G-08A39 BGA-153 8G EMMC Flash Memory Chip

Tipo de interfaz:EMMC 5. ¿Qué quiere decir?1

El voltaje de trabajo:2.7V a 3.6V

Temperatura de funcionamiento:-25 ℃ a +85 ℃

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Examinar las categorías：

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Unidad del microcontrolador de MCU
Sistema SOC en el chip
IC de la unidad MPU
CPLD PLD
Detector térmico infrarrojo
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Chip de memoria de la COPITA
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CI UART
ADC DAC
Circuitos integrados de RF
Componentes electrónicos
Programación de PLC
Módulo GPS
Módulo de Radiofrecuencia
Módulo de energía
Retransmisión de estado sólido
Antena de la comunicación
Conector
Chip de gestión de energía

Chip de memoria de la COPITA

China Chip de memoria de la COPITA

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V

MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Interfaz paralela DDR4 SDRAM

W9425G6KH-5 4 M 4 BANCOS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Memoria de Acceso Aleatorio Dinámica de Doble Velocidad de Datos

W9864G6KH-6I 1M 4 BANCOS 16 BITS SDRAM Memoria de Acceso Aleatorio Dinámico Síncrono de Alta Velocidad

MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1,066GHz 1,425V~1,575V

MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V ~ 1.45V

MT41J128M16JT-125:K 2Gb:X4 X8 X16 DDR3 SDRAM

MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

Chip de memoria DRAM SDRAM DDR3L de bajo voltaje de 8 Gbit a 1,35 V con velocidad de 1600 MT/s en paquete FBGA-96

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