ชิปหน่วยความจำ DRAM

จีน ชิปหน่วยความจำ DRAM

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V

อุณหภูมิในการทำงาน:0°C~+95°C

แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน:1.14V~1.26V

สถาปัตยกรรมหน่วยความจำ (รูปแบบ):DDR4 เอสดีแรม
MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 อินเทอร์เฟซแบบขนาน DDR4 SDRAM

อุณหภูมิในการทำงาน:0°C~+95°C

แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน:1.14V~1.26V

สถาปัตยกรรมหน่วยความจำ (รูปแบบ):DDR SDRAM
W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS อัตราการส่งข้อมูลสองครั้ง

อุณหภูมิในการทำงาน:0℃~+70℃

แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน:2.3V~2.7V

สถาปัตยกรรมหน่วยความจำ (รูปแบบ):DDR SDRAM
W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM หน่วยความจำไดนามิกแบบสุ่มความเร็วสูงแบบซิงโครนัส

อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C~+85°C

แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน:3V~3.6V

สถาปัตยกรรมหน่วยความจำ (รูปแบบ):SDRAM
MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

อุณหภูมิในการทำงาน:0°C~+95°C

แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน:1.425V~1.575V

สถาปัตยกรรมหน่วยความจำ (รูปแบบ):DDR3 เอสดีแรม
MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V ~ 1.45V

อุณหภูมิในการทำงาน:0°C~+95°C

แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน:1.283V~1.45V

สถาปัตยกรรมหน่วยความจำ (รูปแบบ):DDR3L เอสดีแรม
MT41J128M16JT-125:K 2Gb：X4 X8 X16 DDR3 SDRAM

อุณหภูมิในการทำงาน:0°C~+95°C

แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน:1.425V~1.575V

สถาปัตยกรรมหน่วยความจำ (รูปแบบ):DDR3 เอสดีแรม
MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C~+95°C

แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน:1.283V~1.45V

สถาปัตยกรรมหน่วยความจำ (รูปแบบ):DDR3L เอสดีแรม
MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

อุณหภูมิในการทำงาน:0°C~+95°C

แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน:1.283V~1.45V

สถาปัตยกรรมหน่วยความจำ (รูปแบบ):DDR3L เอสดีแรม
ชิปหน่วยความจำ DRAM SDRAM DDR3L แรงดันไฟฟ้าต่ำ 1.35V ขนาด 8 Gbit พร้อมความเร็ว 1600MT/s ในแพ็คเกจ FBGA-96

ประเภทสินค้า::ดราม่า

พิมพ์::SDRAM - DDR3L

ขนาดหน่วยความจำ::8 กิกะบิต
ชิปความทรงจําไฟแลช NAND

พิมพ์:หน่วยความจำแฟลช NAND

มาตรฐานอินเทอร์เฟซ:ยูเอฟเอส 2.1

ความจุ:64GB
FEMDNN008G-08A39 BGA-153 8G EMMC Flash Memory Chip

ประเภทอินเตอร์เฟส:อีเอ็มเอ็มซี 5.1

แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งานได้:2.7V ถึง 3.6V

อุณหภูมิการทำงาน:-25 ℃ถึง +85 ℃

Page 2 of 3|< << 1 2 3 >> >|

เลือกประเภทสินค้า：

ชิปหน่วยความจำ DRAM

จีน ชิปหน่วยความจำ DRAM

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V

MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 อินเทอร์เฟซแบบขนาน DDR4 SDRAM

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS อัตราการส่งข้อมูลสองครั้ง

W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM หน่วยความจำไดนามิกแบบสุ่มความเร็วสูงแบบซิงโครนัส

MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V ~ 1.45V

MT41J128M16JT-125:K 2Gb：X4 X8 X16 DDR3 SDRAM

MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

ชิปหน่วยความจำ DRAM SDRAM DDR3L แรงดันไฟฟ้าต่ำ 1.35V ขนาด 8 Gbit พร้อมความเร็ว 1600MT/s ในแพ็คเกจ FBGA-96

ชิปความทรงจําไฟแลช NAND

FEMDNN008G-08A39 BGA-153 8G EMMC Flash Memory Chip

หน่วยไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU

UART SPI MCU ไมโครคอนโทรลเลอร์ Arm Cortex-A35 ไมโครโปรเซสเซอร์ ชิป MA35D16F887C

ไมโครคอนโทรลเลอร์ Atmel 8 บิต MCU หน่วยความจำแฟลชแบบตั้งโปรแกรมได้ 16 32KBytes ATMEGA168PA-AU

ไมโครคอนโทรลเลอร์ 128kB 8 บิต หน่วยประมวลผลกลาง (MCU) ชิปไมโครคอมพิวเตอร์ AVR Core ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD สนามที่สามารถเขียนโปรแกรมได้

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip ชิป

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB ชิป Cpld ชิปโลจิกโปรแกรม 85000LE