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Chip di memoria di DRAM

Cina Chip di memoria di DRAM

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V

Temperatura operativa:0℃~+95℃

Tensione operativa:1,14 V~1,26 V

Architettura della memoria (formato):DDR4 SDRAM
MT40A512M16LY-075:E 8Gb: Interfaccia parallela X4 X8 X16 DDR4 SDRAM

Temperatura operativa:0℃~+95℃

Tensione operativa:1,14 V~1,26 V

Architettura della memoria (formato):SDRAM DDR
W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory

Temperatura operativa:0°C~+70°C

Tensione operativa:2,3 V~2,7 V

Architettura della memoria (formato):SDRAM DDR
W9864G6KH-6I 1M 4 BANCHE 16 BIT SDRAM Memoria Dinamica Sincrona ad Accesso Casuale ad Alta Velocità

Temperatura operativa:-40℃~+85℃

Tensione operativa:3V~3.6V

Architettura della memoria (formato):SDRAM
MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

Temperatura operativa:0℃~+95℃

Tensione operativa:1,425 V~1,575 V

Architettura della memoria (formato):DDR3 SDRAM
MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

Temperatura operativa:0℃~+95℃

Tensione operativa:1,283 V~1,45 V

Architettura della memoria (formato):DDR3L SDRAM
MT41J128M16JT-125:K 2Gb: X4 X8 X16 DDR3 SDRAM

Temperatura operativa:0℃~+95℃

Tensione operativa:1,425 V~1,575 V

Architettura della memoria (formato):DDR3 SDRAM
MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

Temperatura operativa:-40℃~+95℃

Tensione operativa:1,283 V~1,45 V

Architettura della memoria (formato):DDR3L SDRAM
MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

Temperatura operativa:0℃~+95℃

Tensione operativa:1,283 V~1,45 V

Architettura della memoria (formato):DDR3L SDRAM
Chip di memoria DRAM SDRAM DDR3L a bassa tensione da 8 Gbit 1,35 V con velocità di 1600 MT/s in package FBGA-96

Categoria di prodotto::Drammatico

Tipo::SDRAM-DDR3L

Dimensione della memoria::8 Gbit
K3KL9L90CM-MGCT Chip di memoria flash NAND BGA 64 GB UFS 2.1

Tipo:Memoria flash NAND

Standard di interfaccia:UFS 2,1

Capacità:64 GB
FEMDNN008G-08A39 BGA-153 8G EMMC Flash Memory Chip

Tipo di interfaccia:eMMC 5.1

La tensione di lavoro:2.7V a 3.6V

Temperatura operativa:-25 ℃ a +85 ℃

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MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V

MT40A512M16LY-075:E 8Gb: Interfaccia parallela X4 X8 X16 DDR4 SDRAM

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory

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MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

MT41J128M16JT-125:K 2Gb: X4 X8 X16 DDR3 SDRAM

MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

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