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MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

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MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V
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Grande immagine :  MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: micron
Certificazione: rohs
Numero di modello: MT41K128M16JT-125: K
Documento: 1457707240225.pdf
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: consult with
Imballaggi particolari: T/R
Tempi di consegna: 5-8 giorni
Termini di pagamento: T/T, Unione Occidentale
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

descrizione
Temperatura operativa: 0℃~+95℃ Tensione operativa: 1,283 V~1,45 V
Architettura della memoria (formato): DDR3L SDRAM Capacità di archiviazione: 2Gbit
Frequenza di clock (fc): 800 MHz Corrente operativa: 46mA
Evidenziare:

Chip di memoria DDR3L SDRAM da 2 GB

,

800MHz DDR3L SDRAM con 1

,

283V ~ 1

MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V
Il MT41K128M16JT-125:k 2Gb DDR3L SDRAM è una soluzione di memoria a bassa tensione che offre configurazioni x4, x8 e x16 a 800MHz con un intervallo di tensione operativa da 1.283V a 1.45V.
Panoramica del prodotto
Il dispositivo DDR3L SDRAM da 1.35V è una versione a bassa tensione del dispositivo DDR3 SDRAM da 1.5V. Questo prodotto soddisfa tutte le specifiche funzionali e di temporizzazione elencate nel foglio dati standard di densità equivalente o nel foglio dati DDR3 SDRAM automotive disponibile sul sito ufficiale di Micron.
Caratteristiche principali
  • VDD = VDDQ = 1.35V (1.283-1.45V)
  • Retrocompatibile con VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
  • Strobe dati differenziale bidirezionale
  • Architettura di prefetch a 8n bit
  • Ingressi di clock differenziali (CK, CK#)
  • 8 banchi interni
  • Terminazione on-die (ODT) nominale e dinamica per segnali di dati, strobe e maschera
  • Latenza programmabile CAS (READ) (CL)
  • Latenza aggiuntiva CAS posticipata programmabile (AL)
  • Latenza programmabile CAS (WRITE) (CWL)
  • Lunghezza burst fissa (BL) di 8 e burst chop (BC) di 4 (tramite set di registri di modalità [MRS])
  • BC4 o BL8 selezionabile on-the-fly (OTF)
  • Modalità di auto-refresh
  • TC da 0°C a +95°C: refresh a 8192 cicli a 64ms da 0°C a +85°C; 32ms da +85°C a +95°C
  • Temperatura di auto-refresh (SRT)
Parametri tecnici
Parametro 512 Meg x 4 256 Meg x 8 128 Meg x 16
Configurazione 64 Meg x 4 x 8 banchi 32 Meg x 8 x 8 banchi 16 Meg x 16 x 8 banchi
Conteggio refresh 8K 8K 8K
Indirizzo di riga 32K A[14:0] 32K A[14:0] 16K A[13:0]
Indirizzo di banco 8 BA[2:0] 8 BA[2:0] 8 BA[2:0]
Indirizzo di colonna 2K A[11, 9:0] 1K A[9:0] 1K A[9:0]
MT41K128M16JT DDR3L SDRAM technical diagram MT41K128M16JT DDR3L SDRAM pin configuration MT41K128M16JT DDR3L SDRAM package dimensions
Imballaggio e spedizione
Imballaggio standard per l'esportazione disponibile. I clienti possono scegliere tra cartoni, casse di legno e pallet di legno in base alle loro esigenze specifiche.
Domande frequenti
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Di solito forniamo preventivi entro 24 ore dalla ricezione della tua richiesta (esclusi fine settimana e festivi). Per richieste di prezzi urgenti, ti preghiamo di contattarci direttamente.
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Prodotto Tag:

Dram chip,

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Chip di memoria di Dram

Dettagli di contatto
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Persona di contatto: Mr. Sun

Telefono: +8618824255380

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