Συνομιλία τώρα |
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤσιπ μνήμης DRAM

MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

Όλα τα Προϊόντα

Φύλακας πύλης προγραμματισμού πεδίου FPGA

(42)

Μονάδα μικροελεγκτών MCU

(44)

Σύστημα SOC σε τσιπ

(17)

MPU IC

(11)

ΚΑΠΚΑΠΚΑ

(9)

Ανιχνευτής θερμότητας υπέρυθρου

(2)

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος DSP

(12)

Τσιπ μνήμης DRAM

(20)

eeprom τσιπ

(70)

Τσιπ PSRAM

(5)

Τσιπ SRAM

(18)

Χωρίς φλας

(51)

Κύκλωμα διακόπτη EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(50)

Ενοποιημένα κυκλώματα ραδιοκυμάτων

(11)

Η μπαταρία ιόντων λιθίου

(22)

Προγραμματισμός PLC

(15)

Μονάδα GPS

(9)

Μονάδα ραδιοσυχνοτήτων

(9)

Μονάδα ισχύος

(17)

Στερεάς κατάστασης ηλεκτρονόμος

(11)

Κεραία επικοινωνίας

(3)

Συνδετήρας

(8)

Τσιπ διαχείρισης ισχύος

(18)
Είμαι Online Chat Now

MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V
MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

Μεγάλες Εικόνας :  MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: ΣΟ
Μάρκα: micron
Πιστοποίηση: rohs
Αριθμό μοντέλου: MT41K128M16JT-125: Κ
Έγγραφο: 1457707240225.pdf
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: 1
Τιμή: consult with
Συσκευασία λεπτομέρειες: T/R
Χρόνος παράδοσης: 5-8 ημέρες
Όροι πληρωμής: T/T, Western Union
Δυνατότητα προσφοράς: 100000
Επικοινωνία Συνομιλία τώρα

MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

περιγραφή
Θερμοκρασία λειτουργίας: 0℃~+95℃ Τάση λειτουργίας: 1,283V~1,45V
Αρχιτεκτονική μνήμης (μορφή): DDR3L SDRAM Χωρητικότητα αποθήκευσης: 2 Gbit
Συχνότητα ρολογιών (fc): 800 MHz Λειτουργικό Ρεύμα: 46mA
Επισημαίνω:

2Gb DDR3L SDRAM memory chip

,

800MHz DDR3L SDRAM with 1.283V~1.45V

,

x4 x8 x16 DDR3L SDRAM chip

MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V
The MT41K128M16JT-125:k 2Gb DDR3L SDRAM is a low-voltage memory solution offering x4, x8, and x16 configurations at 800MHz with an operating voltage range of 1.283V to 1.45V.
Product Overview
The 1.35V DDR3L SDRAM device is a low-voltage version of the 1.5V DDR3 SDRAM device. This product meets all functional and timing specifications listed in the equivalent density standard or automotive DDR3 SDRAM data sheet available on Micron's official website.
Key Features
  • VDD = VDDQ = 1.35V (1.283-1.45V)
  • Backward-compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
  • Differential bidirectional data strobe
  • 8n-bit prefetch architecture
  • Differential clock inputs (CK, CK#)
  • 8 internal banks
  • Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals
  • Programmable CAS (READ) latency (CL)
  • Programmable posted CAS additive latency (AL)
  • Programmable CAS (WRITE) latency (CWL)
  • Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4 (via mode register set [MRS])
  • Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)
  • Self refresh mode
  • TC of 0°C to +95°C: 64ms, 8192-cycle refresh at 0°C to +85°C; 32ms at +85°C to +95°C
  • Self refresh temperature (SRT)
Technical Parameters
Parameter 512 Meg x 4 256 Meg x 8 128 Meg x 16
Configuration 64 Meg x 4 x 8 banks 32 Meg x 8 x 8 banks 16 Meg x 16 x 8 banks
Refresh count 8K 8K 8K
Row address 32K A[14:0] 32K A[14:0] 16K A[13:0]
Bank address 8 BA[2:0] 8 BA[2:0] 8 BA[2:0]
Column address 2K A[11, 9:0] 1K A[9:0] 1K A[9:0]
MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V 0 MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V 1 MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V 2
Packaging & Shipping
Standard export packaging available. Customers can choose from cartons, wooden cases, and wooden pallets according to their specific requirements.
Frequently Asked Questions
How to obtain the price?
We typically provide quotations within 24 hours of receiving your inquiry (excluding weekends and holidays). For urgent pricing requests, please contact us directly.
What is your delivery time?
Small batches typically ship within 7-15 days, while large batch orders may require approximately 30 days depending on order quantity and season.
What are your payment terms?
Factory pricing with 30% deposit and 70% balance payment via T/T before shipment.
What are the shipping options?
Available shipping methods include sea freight, air freight, and express delivery (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Please confirm your preferred method before ordering.

ετικέτα:

τσιπ ντραμ,

τσιπ ντράμ,

Τσιπ μνήμης DRAM

Στοιχεία επικοινωνίας
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Mr. Sun

Τηλ.:: +8618824255380

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα
FBGA-200 DRAM Chip Μνήμης 8Gb X16 X2 Channel LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

FBGA-200 DRAM Chip Μνήμης 8Gb X16 X2 Channel LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

Κατάλογος προϊόντων: Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)

Οικουμενική συσκευασία: FBGA-200

ROHS: Συμμόρφωση

Μέθοδος εγκατάστασης: Εγκατάσταση επιφανειακής βάσης
2Gb F Die DRAM Μνήμης Chip Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

2Gb F Die DRAM Μνήμης Chip Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Κατάλογος προϊόντων: Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)

Οικουμενική συσκευασία: BGA, FBGA

ROHS: Συμμόρφωση

Μέθοδος εγκατάστασης: Εγκατάσταση επιφανειακής βάσης
DDR3L X16 4Gb DRAM Chip Industrial F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

DDR3L X16 4Gb DRAM Chip Industrial F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

Κατάλογος προϊόντων: Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)

Οικουμενική συσκευασία: FBGA-96

ROHS: Συμμόρφωση

Μέθοδος εγκατάστασης: Εγκατάσταση επιφανειακής βάσης
Τσιπ μνήμης DRAM 512MB 16bit 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

Τσιπ μνήμης DRAM 512MB 16bit 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

Καταλόγος εμπορευμάτων: Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)

Συσκευές γενικής χρήσης: FBGA-96

Μέθοδος εγκατάστασης: Εγκατάσταση επιφανειακής βάσης

Θερμοκρασία εργασίας: 95℃ (μέγιστο)
Τσιπ μνήμης DRAM DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

Τσιπ μνήμης DRAM DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

Κατάλογος προϊόντων: Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)

Οικουμενική συσκευασία: FBGA-96

ROHS: Συμμόρφωση

Μέθοδος εγκατάστασης: Εγκατάσταση επιφανειακής βάσης
περίπου

Μονάδα μικροελεγκτών MCU

UART SPI MCU Μικροελεγκτής Arm Cortex-A35 Μικροεπεξεργαστής Chip MA35D16F887C

Atmel 8 Bit MCU Μονάδα Μικροελεγκτή 16 32KBytes Προγραμματιζόμενο Flash ATMEGA168PA-AU

128kB 8bit MCU Μονάδα Μικροελεγκτή Πυρήνας AVR Chip Μικροϋπολογιστή ATMEGA128A-AU

Φύλακας πύλης προγραμματισμού πεδίου FPGA

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD Πεδίο Προγραμματιζόμενη συσκευή Λογική σειρά

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Πύλη πεδίου Τρίχωμα πεδίου Προγραμματιζόμενο Τρίχωμα Λογική συσκευή Τσιπ

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB Cpld Chips Programmable Logic Chips 85000LE

Αφήστε μήνυμα

Πολιτική Απορρήτου | Κίνα καλός Ποιότητα Φύλακας πύλης προγραμματισμού πεδίου FPGA προμηθευτής. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.