Κατάλογος προϊόντων:Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)
Οικουμενική συσκευασία:FBGA-200
ROHS:Συμμόρφωση
Κατάλογος προϊόντων:Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)
Οικουμενική συσκευασία:BGA, FBGA
ROHS:Συμμόρφωση
Κατάλογος προϊόντων:Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)
Οικουμενική συσκευασία:FBGA-96
ROHS:Συμμόρφωση
Καταλόγος εμπορευμάτων:Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)
Συσκευές γενικής χρήσης:FBGA-96
Μέθοδος εγκατάστασης:Εγκατάσταση επιφανειακής βάσης
Κατάλογος προϊόντων:Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)
Οικουμενική συσκευασία:FBGA-96
ROHS:Συμμόρφωση
Κατάλογος προϊόντων:Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)
Οικουμενική συσκευασία:BGA
ROHS:Συμμόρφωση
Κατάλογος προϊόντων:Μνήμη >Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης DRAM
Οικουμενική συσκευασία:FBGA-96
ROHS:Συμμόρφωση
Κατάλογος προϊόντων:Μνήμη > Δυναμική Μνήμη Τυχαίας Προσπέλασης
Οικουμενική συσκευασία:FBGA-96
ROHS:Συμμόρφωση
Τύπος διασύνδεσης:ΕΜΜΚ 5.1
Η τάση εργασίας:2.7V σε 3.6V
Θερμοκρασία λειτουργίας:-25 ℃ έως +85 ℃
Τύπος διασύνδεσης:ΕΜΜΚ 5.1
Η τάση εργασίας:2.7V σε 3.6V
Θερμοκρασία λειτουργίας:-40 ℃ έως +85 ℃
Τύπος διασύνδεσης:ΕΜΜΚ 5.1
Η τάση εργασίας:2.7V σε 3.6V
Θερμοκρασία λειτουργίας:-40 ℃ έως +85 ℃
Τύπος:Μνήμη NAND Flash
Πρότυπο διασύνδεσης:UFS 2,1
Ικανότητα:64GB