MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V

Name: MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V
Brand: Shenzhen Filetti Technology Co., LTD
SKU: MT40A512M16LY-062E ΑΥΤΟ: Ε
Availability: InStock

Όλα τα Προϊόντα

Φύλακας πύλης προγραμματισμού πεδίου FPGA
(42)

Μονάδα μικροελεγκτών MCU
(44)

Σύστημα SOC σε τσιπ
(17)

MPU IC
(11)

ΚΑΠΚΑΠΚΑ
(9)

Ανιχνευτής θερμότητας υπέρυθρου
(2)

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος DSP
(12)

Τσιπ μνήμης DRAM
(26)

eeprom τσιπ
(70)

Τσιπ PSRAM
(5)

Τσιπ SRAM
(18)

Χωρίς φλας
(51)

Κύκλωμα διακόπτη EPROM
(7)

UART IC
(8)

ADC DAC
(50)

Ενοποιημένα κυκλώματα ραδιοκυμάτων
(11)

Η μπαταρία ιόντων λιθίου
(24)

Προγραμματισμός PLC
(15)

Μονάδα GPS
(9)

Μονάδα ραδιοσυχνοτήτων
(9)

Μονάδα ισχύος
(17)

Στερεάς κατάστασης ηλεκτρονόμος
(11)

Κεραία επικοινωνίας
(3)

Συνδετήρας
(8)

Τσιπ διαχείρισης ισχύος
(38)

Είμαι Online Chat Now

MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V

Μεγάλες Εικόνας : MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής:	ΣΟ
Μάρκα:	micron
Πιστοποίηση:	rohs
Αριθμό μοντέλου:	MT40A512M16LY-062E ΑΥΤΟ: Ε

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min:	1
Τιμή:	consult with
Συσκευασία λεπτομέρειες:	T/R
Χρόνος παράδοσης:	5-8 ημέρες
Όροι πληρωμής:	T/T, Western Union
Δυνατότητα προσφοράς:	100000

Επικοινωνία Συνομιλία τώρα

MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V

περιγραφή

Θερμοκρασία λειτουργίας:	0℃~+95℃	Τάση λειτουργίας:	1,14V~1,26V
Αρχιτεκτονική μνήμης (μορφή):	DDR SDRAM	Χωρητικότητα αποθήκευσης:	8 Gbit
Συχνότητα ρολογιών (fc):	1,6GHz	Λειτουργικό Ρεύμα:	56 mA
Επισημαίνω:	Automotive DDR4 SDRAM 8Gb , DDR4 SDRAM 1.6GHz , Automotive DRAM with warranty

MT40A512M16LY-062E IT:E Automotive DDR4 SDRAM

8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V

Product Overview

MT40A1G8/MT40A512M16 Automotive DDR4 SDRAM designed for demanding automotive applications with enhanced reliability and performance characteristics.

Key Features

VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV
VPP = 2.5V –125mV/+250mV
On-die, internal, adjustable VREFDQ generation
1.2V pseudo open-drain I/O
Refresh time of 8192-cycle at TC temperature range
16 internal banks (x8): 4 groups of 4 banks each
8 internal banks (x16): 2 groups of 4 banks each
8n-bit prefetch architecture
Programmable data strobe preambles
Command/Address latency (CAL)
Low-power auto self refresh (LPASR)
Temperature controlled refresh (TCR)
Data bus inversion (DBI) for data bus
Command/Address (CA) parity
JEDEC JESD-79-4 compliant
AEC-Q100 qualified
PPAP submission support

Technical Specifications

Parameter	1024 Meg x 8	512 Meg x 16
Number of bank groups	4	2
Bank group address	BG[1:0]	BG0
Bank count per group	4	4
Bank address in bank group	BA[1:0]	BA[1:0]
Row addressing	64K (A[15:0])	64K (A[15:0])
Column addressing	1K (A[9:0])	1K (A[9:0])
Page size	1KB	2KB

Product Images

Packaging & Shipping

Standard export packaging available. Customers can choose from cartons, wooden cases, and wooden pallets according to their requirements.

Frequently Asked Questions

How to obtain the price?

We typically provide quotations within 24 hours of receiving your inquiry (excluding weekends and holidays). For urgent pricing requests, please contact us directly.

What is your delivery time?

Small batches typically ship within 7-15 days, while large batch orders may require approximately 30 days depending on order quantity and season.

What are your payment terms?

Factory pricing with 30% deposit and 70% balance payment via T/T before shipment.

What are the shipping options?

Available shipping methods include sea freight, air freight, and express delivery (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Please confirm your preferred method before ordering.

ετικέτα:

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Mr. Sun

Τηλ.:: +8618824255380

Άλλα προϊόντα