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MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V

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Image Grand :  MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: micron
Certification: rohs
Numéro de modèle: SERVICE INFORMATIQUE DE MT40A512M16LY-062E : E
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: consult with
Détails d'emballage: T/R
Délai de livraison: 5-8 jours
Conditions de paiement: T/T, Union occidentale
Capacité d'approvisionnement: 100000
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MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V

description de
Température de fonctionnement: 0℃~+95℃ Tension de fonctionnement: 1,14 V ~ 1,26 V
Architecture mémoire (format): SDRAM DDR Capacité de stockage: 8 Go
Fréquence du signal d'horloge (fc): 1,6 GHz Courant de fonctionnement: 56mA
Mettre en évidence:

Automotive DDR4 SDRAM 8Gb

,

DDR4 SDRAM 1.6GHz

,

Automotive DRAM with warranty

MT40A512M16LY-062E IT:E Automotive DDR4 SDRAM
8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V
Product Overview
MT40A1G8/MT40A512M16 Automotive DDR4 SDRAM designed for demanding automotive applications with enhanced reliability and performance characteristics.
Key Features
  • VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV
  • VPP = 2.5V –125mV/+250mV
  • On-die, internal, adjustable VREFDQ generation
  • 1.2V pseudo open-drain I/O
  • Refresh time of 8192-cycle at TC temperature range
  • 16 internal banks (x8): 4 groups of 4 banks each
  • 8 internal banks (x16): 2 groups of 4 banks each
  • 8n-bit prefetch architecture
  • Programmable data strobe preambles
  • Command/Address latency (CAL)
  • Low-power auto self refresh (LPASR)
  • Temperature controlled refresh (TCR)
  • Data bus inversion (DBI) for data bus
  • Command/Address (CA) parity
  • JEDEC JESD-79-4 compliant
  • AEC-Q100 qualified
  • PPAP submission support
Technical Specifications
Parameter 1024 Meg x 8 512 Meg x 16
Number of bank groups 4 2
Bank group address BG[1:0] BG0
Bank count per group 4 4
Bank address in bank group BA[1:0] BA[1:0]
Row addressing 64K (A[15:0]) 64K (A[15:0])
Column addressing 1K (A[9:0]) 1K (A[9:0])
Page size 1KB 2KB
Product Images
MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V 0 MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V 1 MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V 2 MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V 3
Packaging & Shipping
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Produit Tag:

éclaboussure de dram,

délicieux,

Puces de mémoire de drachme

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Personne à contacter: Mr. Sun

Téléphone: +8618824255380

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