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MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V

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MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V

MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V
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Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: micron
Certificazione: rohs
Numero di modello: MT40A512M16LY-062E L'IT: E
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: consult with
Imballaggi particolari: T/R
Tempi di consegna: 5-8 giorni
Termini di pagamento: T/T, Unione Occidentale
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto

MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V

descrizione
Temperatura operativa: 0℃~+95℃ Tensione operativa: 1,14 V~1,26 V
Architettura della memoria (formato): SDRAM DDR Capacità di archiviazione: 8Gbit
Frequenza di clock (fc): 1,6 GHz Corrente operativa: 56mA
Evidenziare:

DDR4 SDRAM per automobili 8 GB

,

DDR4 SDRAM 1

,

6 GHz

MT40A512M16LY-062E IT:E Automotive DDR4 SDRAM
8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V
Panoramica del prodotto
MT40A1G8/MT40A512M16 Automotive DDR4 SDRAM progettato per applicazioni automobilistiche esigenti con affidabilità e prestazioni migliorate.
Caratteristiche principali
  • VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV
  • VPP = 2.5V –125mV/+250mV
  • Generazione VREFDQ on-die, interna, regolabile
  • I/O pseudo open-drain da 1.2V
  • Tempo di refresh di 8192 cicli nell'intervallo di temperatura TC
  • 16 banchi interni (x8): 4 gruppi da 4 banchi ciascuno
  • 8 banchi interni (x16): 2 gruppi da 4 banchi ciascuno
  • Architettura 8n-bit prefetch
  • Preamboli dello strobe dati programmabili
  • Latenza comando/indirizzo (CAL)
  • Auto self refresh a basso consumo (LPASR)
  • Refresh controllato dalla temperatura (TCR)
  • Inversione del bus dati (DBI) per il bus dati
  • Parità comando/indirizzo (CA)
  • Conforme a JEDEC JESD-79-4
  • Qualificato AEC-Q100
  • Supporto per la presentazione PPAP
Specifiche tecniche
Parametro 1024 Meg x 8 512 Meg x 16
Numero di gruppi di banchi 4 2
Indirizzo gruppo di banchi BG[1:0] BG0
Numero di banchi per gruppo 4 4
Indirizzo banco nel gruppo di banchi BA[1:0] BA[1:0]
Indirizzamento righe 64K (A[15:0]) 64K (A[15:0])
Indirizzamento colonne 1K (A[9:0]) 1K (A[9:0])
Dimensione pagina 1KB 2KB
Immagini del prodotto
MT40A512M16LY-062E Automotive DDR4 SDRAM component view MT40A512M16LY-062E pin configuration diagram MT40A512M16LY-062E technical specifications MT40A512M16LY-062E packaging and dimensions
Imballaggio e spedizione
Disponibile imballaggio standard per l'esportazione. I clienti possono scegliere tra cartoni, casse di legno e pallet di legno in base alle loro esigenze.
Domande frequenti
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Di solito forniamo preventivi entro 24 ore dalla ricezione della tua richiesta (esclusi fine settimana e festivi). Per richieste di prezzi urgenti, ti preghiamo di contattarci direttamente.
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Quali sono le opzioni di spedizione?
I metodi di spedizione disponibili includono trasporto marittimo, trasporto aereo e consegna espressa (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Si prega di confermare il metodo preferito prima di ordinare.

Prodotto Tag:

Dram chip,

cioccolato,

Chip di memoria di Dram

Dettagli di contatto
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Persona di contatto: Mr. Sun

Telefono: +8618824255380

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