제품 소개DRAM 메모리는 자릅니다

MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 자동차 DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V

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MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 자동차 DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V

MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8  x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V
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제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: micron
인증: rohs
모델 번호: MT40A512M16LY-062E 그것 :E
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: consult with
포장 세부 사항: T/R
배달 시간: 5~8일
지불 조건: T/T, 서부 동맹
공급 능력: 100000
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MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 자동차 DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V

설명
작동 온도: 0℃~+95℃ 작동 전압: 1.14V~1.26V
메모리 아키텍처(형식): DDR SDRAM 저장 용량: 8Gbit
클럭 주파수 (fc): 1.6GHz 작동 전류: 56mA
강조하다:

자동차용 DDR4 SDRAM 8Gb

,

DDR4 SDRAM 1.6GHz

,

자동차용 DRAM 보증

MT40A512M16LY-062E IT:E 자동차용 DDR4 SDRAM
8Gb: x8 x16 자동차용 DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V
제품 개요
MT40A1G8/MT40A512M16 자동차용 DDR4 SDRAM은 향상된 신뢰성과 성능 특성을 갖추고 까다로운 자동차 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.
주요 특징
  • VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV
  • VPP = 2.5V –125mV/+250mV
  • 온다이, 내부, 조절 가능한 VREFDQ 생성
  • 1.2V 의사 오픈 드레인 I/O
  • TC 온도 범위에서 8192 사이클의 새로고침 시간
  • 내부 뱅크 16개 (x8): 각 4개 뱅크로 구성된 4개 그룹
  • 내부 뱅크 8개 (x16): 각 4개 뱅크로 구성된 2개 그룹
  • 8n 비트 프리페치 아키텍처
  • 프로그래밍 가능한 데이터 스트로브 프리앰블
  • 명령/주소 지연 (CAL)
  • 저전력 자동 자체 새로고침 (LPASR)
  • 온도 제어 새로고침 (TCR)
  • 데이터 버스용 데이터 버스 반전 (DBI)
  • 명령/주소 (CA) 패리티
  • JEDEC JESD-79-4 준수
  • AEC-Q100 인증
  • PPAP 제출 지원
기술 사양
매개변수 1024 메가 x 8 512 메가 x 16
뱅크 그룹 수 4 2
뱅크 그룹 주소 BG[1:0] BG0
그룹당 뱅크 수 4 4
뱅크 그룹 내 뱅크 주소 BA[1:0] BA[1:0]
행 주소 지정 64K (A[15:0]) 64K (A[15:0])
열 주소 지정 1K (A[9:0]) 1K (A[9:0])
페이지 크기 1KB 2KB
제품 이미지
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J
Jacques
France Oct 8.2025
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
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