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MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V

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उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: micron
प्रमाणन: rohs
मॉडल संख्या: MT40A512M16LY-062E आईटी:ई
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 1
मूल्य: consult with
पैकेजिंग विवरण: टी/आर
प्रसव के समय: 5-8 दिन
भुगतान शर्तें: टी/टी, वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता: 100000
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MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V

वर्णन
परिचालन तापमान: 0℃~+95℃ ऑपरेटिंग वोल्टेज: 1.14V~1.26V
मेमोरी आर्किटेक्चर (प्रारूप): डीडीआर एसडीआरएएम भंडारण क्षमता: 8जीबीआईटी
घड़ी की आवृत्ति (एफसी): 1.6GHz ऑपरेटिंग करंट: 56एमए
प्रमुखता देना:

Automotive DDR4 SDRAM 8Gb

,

DDR4 SDRAM 1.6GHz

,

Automotive DRAM with warranty

MT40A512M16LY-062E IT:E Automotive DDR4 SDRAM
8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V
Product Overview
MT40A1G8/MT40A512M16 Automotive DDR4 SDRAM designed for demanding automotive applications with enhanced reliability and performance characteristics.
Key Features
  • VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV
  • VPP = 2.5V –125mV/+250mV
  • On-die, internal, adjustable VREFDQ generation
  • 1.2V pseudo open-drain I/O
  • Refresh time of 8192-cycle at TC temperature range
  • 16 internal banks (x8): 4 groups of 4 banks each
  • 8 internal banks (x16): 2 groups of 4 banks each
  • 8n-bit prefetch architecture
  • Programmable data strobe preambles
  • Command/Address latency (CAL)
  • Low-power auto self refresh (LPASR)
  • Temperature controlled refresh (TCR)
  • Data bus inversion (DBI) for data bus
  • Command/Address (CA) parity
  • JEDEC JESD-79-4 compliant
  • AEC-Q100 qualified
  • PPAP submission support
Technical Specifications
Parameter 1024 Meg x 8 512 Meg x 16
Number of bank groups 4 2
Bank group address BG[1:0] BG0
Bank count per group 4 4
Bank address in bank group BA[1:0] BA[1:0]
Row addressing 64K (A[15:0]) 64K (A[15:0])
Column addressing 1K (A[9:0]) 1K (A[9:0])
Page size 1KB 2KB
Product Images
MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V 0 MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V 1 MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V 2 MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V 3
Packaging & Shipping
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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: FBGA-200

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
2Gb F डाई DRAM मेमोरी चिप डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: बीजीए ， एफबीजीए

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
DDR3L X16 4Gb DRAM चिप औद्योगिक F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

DDR3L X16 4Gb DRAM चिप औद्योगिक F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: एफबीजीए-96

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
512MB 16बिट DRAM मेमोरी चिप 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

512MB 16बिट DRAM मेमोरी चिप 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

माल सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सामान्य उद्देश्य पैकेजिंग: एफबीजीए-96

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना

कार्य तापमान: 95 ℃ (अधिकतम)
औद्योगिक DRAM मेमोरी चिप DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

औद्योगिक DRAM मेमोरी चिप DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: एफबीजीए-96

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
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