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MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 ऑटोमोटिव DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V

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MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V
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उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: micron
प्रमाणन: rohs
मॉडल संख्या: MT40A512M16LY-062E आईटी:ई
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 1
मूल्य: consult with
पैकेजिंग विवरण: टी/आर
प्रसव के समय: 5-8 दिन
भुगतान शर्तें: टी/टी, वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता: 100000
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MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 ऑटोमोटिव DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V

वर्णन
परिचालन तापमान: 0℃~+95℃ ऑपरेटिंग वोल्टेज: 1.14V~1.26V
मेमोरी आर्किटेक्चर (प्रारूप): डीडीआर एसडीआरएएम भंडारण क्षमता: 8जीबीआईटी
घड़ी की आवृत्ति (एफसी): 1.6GHz ऑपरेटिंग करंट: 56एमए
प्रमुखता देना:

ऑटोमोटिव डीडीआर4 एसडीआरएएम 8जीबी

,

डीडीआर4 एसडीआरएएम 1.6GHz

,

वारंटी के साथ ऑटोमोटिव DRAM

MT40A512M16LY-062E IT:E ऑटोमोटिव DDR4 SDRAM
8Gb: x8 x16 ऑटोमोटिव DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V
उत्पाद का अवलोकन
MT40A1G8/MT40A512M16 ऑटोमोटिव डीडीआर4 एसडीआरएएम, जो उच्च विश्वसनीयता और प्रदर्शन विशेषताओं के साथ मांग वाले ऑटोमोटिव अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है।
प्रमुख विशेषताएं
  • VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV
  • वीपीपी = 2.5V ¥125mV/+250mV
  • ऑन-मृत्यु, आंतरिक, समायोज्य VREFDQ पीढ़ी
  • 1.2V छद्म खुली नाली I/O
  • टीसी तापमान सीमा पर 8192 चक्र का ताज़ा समय
  • 16 आंतरिक बैंक (x8): प्रत्येक में 4 बैंकों के 4 समूह
  • 8 आंतरिक बैंक (x16): प्रत्येक में 4 बैंकों के 2 समूह
  • 8n-बिट प्रीफेच आर्किटेक्चर
  • प्रोग्राम करने योग्य डेटा स्ट्रॉब प्रीमबल्स
  • कमांड/एड्रेस विलंबता (CAL)
  • कम शक्ति वाले ऑटो रिफ्रेश (LPASR)
  • तापमान नियंत्रित ताज़ा करना (TCR)
  • डाटा बस के लिए डाटा बस इन्वर्शन (डीबीआई)
  • कमांड/एड्रेस (CA) समता
  • JEDEC JESD-79-4 के अनुरूप
  • एईसी-क्यू100 योग्य
  • पीपीएपी प्रस्तुत करने के लिए समर्थन
तकनीकी विनिर्देश
पैरामीटर 1024 मेगाग्राम x 8 512 मेगा × 16
बैंक समूहों की संख्या 4 2
बैंक समूह का पता बीजी[1:0] BG0
समूह के अनुसार बैंक की संख्या 4 4
बैंक समूह में बैंक का पता बीए[1:0] बीए[1:0]
पंक्ति सम्बोधन 64K (A[15:0]) 64K (A[15:0])
स्तंभ सम्बोधन 1K (A[9:0]) 1K (A[9:0])
पृष्ठ का आकार 1KB 2KB
उत्पाद चित्र
MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 ऑटोमोटिव DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V 0 MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 ऑटोमोटिव DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V 1 MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 ऑटोमोटिव DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V 2 MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 ऑटोमोटिव DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V 3
पैकेजिंग और शिपिंग
मानक निर्यात पैकेजिंग उपलब्ध है। ग्राहक अपनी आवश्यकताओं के अनुसार कार्टन, लकड़ी के मामले और लकड़ी के पैलेट से चुन सकते हैं।
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
कीमत कैसे प्राप्त करें?
हम आम तौर पर आपकी पूछताछ प्राप्त करने के 24 घंटे के भीतर उद्धरण प्रदान करते हैं (सप्ताह के अंत और छुट्टियों को छोड़कर) । तत्काल मूल्य निर्धारण अनुरोधों के लिए, कृपया हमसे सीधे संपर्क करें।
आपकी डिलीवरी का समय क्या है?
छोटे बैच आमतौर पर 7-15 दिनों के भीतर जहाज करते हैं, जबकि बड़े बैच ऑर्डर के लिए ऑर्डर की मात्रा और मौसम के आधार पर लगभग 30 दिनों की आवश्यकता हो सकती है।
आपकी भुगतान शर्तें क्या हैं?
शिपमेंट से पहले टी/टी के माध्यम से 30% जमा और 70% शेष भुगतान के साथ फैक्टरी मूल्य निर्धारण।
शिपिंग के क्या विकल्प हैं?
उपलब्ध शिपिंग विधियों में समुद्री माल ढुलाई, हवाई माल ढुलाई और एक्सप्रेस डिलीवरी (ईएमएस, यूपीएस, डीएचएल, टीएनटी, फेडेक्स) शामिल हैं। कृपया ऑर्डर करने से पहले अपनी पसंदीदा विधि की पुष्टि करें।

कुल मिलाकर रेटिंग

5.0
इस आपूर्तिकर्ता के लिए 50 समीक्षाओं पर आधारित

रेटिंग स्नैपशॉट

निम्नलिखित सभी रेटिंग का वितरण है
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सभी समीक्षाएँ

J
Jacques
France Oct 8.2025
सहायक (1)
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: FBGA-200

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
2Gb F डाई DRAM मेमोरी चिप डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: बीजीए ， एफबीजीए

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
DDR3L X16 4Gb DRAM चिप औद्योगिक F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: एफबीजीए-96

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
512MB 16बिट DRAM मेमोरी चिप 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

512MB 16बिट DRAM मेमोरी चिप 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

माल सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सामान्य उद्देश्य पैकेजिंग: एफबीजीए-96

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना

कार्य तापमान: 95 ℃ (अधिकतम)
औद्योगिक DRAM मेमोरी चिप DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

औद्योगिक DRAM मेमोरी चिप DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: एफबीजीए-96

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
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