512MB 16बिट DRAM मेमोरी चिप 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

DRAM डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी चिप 512MB 16-बिट FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC एक 4,294,967,296-बिट CMOS डुअल डेटा रेट III (DDR3) सिंक्रोनस DRAM है, जो उच्च-घनत्व मेमोरी और उच्च बैंडविड्थ की आवश्यकता वाले मुख्य मेमोरी अनुप्रयोगों के लिए अत्यधिक उपयुक्त है।

SK Hynix 4Gb DDR3 SDRAM पूरी तरह से सिंक्रोनस ऑपरेशन प्रदान करता है, जो घड़ी के बढ़ते और गिरते किनारों को संदर्भित करता है। सभी पते और नियंत्रण इनपुट CK के बढ़ते किनारे पर लैच किए जाते हैं, जबकि डेटा, डेटा स्ट्रोब और राइट डेटा मास्क इनपुट को बढ़ते और गिरते दोनों किनारों पर नमूना लिया जाता है।

• VDD=VDDQ=1.5V ± 0.075V
• पूरी तरह से विभेदक घड़ी इनपुट (CK, CK)
• विभेदक डेटा चयन संचार संख्या (DQS, DQS)
• ऑन-चिप DLLS को DQ, DQS और DQS संक्रमण के साथ संरेखित करें
• DM मास्क डेटा को डेटा चयन सिग्नल के बढ़ते/गिरते किनारों पर लिखता है
• 5,6,7,8,9,10,11,13 और 14 के प्रोग्रामेबल CAS विलंब का समर्थन करता है
• अनुक्रमिक और इंटरलीव्ड पैटर्न के साथ 4/8 की प्रोग्रामेबल बस्ट लंबाई
• 8 भंडारण इकाइयाँ
• वाणिज्यिक (0°C से 95°C), औद्योगिक (-40°C से 95°C), और ऑटोमोटिव (-40°C से 105°C) तापमान विकल्प
• JEDEC मानक 78-बॉल FBGA(x8), 96-बॉल FBGA(x16)
• 8-बिट प्रीफ़ेच आर्किटेक्चर

मानक निर्यात पैकेजिंग उपलब्ध है। ग्राहक आवश्यकताओं के अनुसार डिब्बों, लकड़ी के मामलों और लकड़ी के पैलेट में से चुन सकते हैं।