Chip di memoria DRAM da 512 MB a 16 bit 1,575 V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

Dram Dynamic Random Access Memory CHIP 512MB FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC è un dramma sincrono CMOS di 4.294.967.296 bit CMOS III (DDR3) DRAM sincrono, altamente adatto per le principali applicazioni di memoria che richiedono memoria ad alta densità e larghezza di banda elevata.

SK Hynix 4GB DDR3 SDRAM offre un funzionamento completamente sincrono, riferendosi ai bordi in aumento e in calo dell'orologio. Tutti gli input di indirizzi e di controllo sono bloccati al bordo di salita di CK, mentre i dati, gli strobi di dati e gli ingressi delle maschere di dati di scrittura vengono campionati a entrambi i bordi in aumento e in calo.

• VDD = VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V.
• Ingresso dell'orologio completamente differenziale (CK, CK)
• Numero di comunicazione di selezione dei dati differenziali (DQS, DQS)
• Allinea DLL su chip con transizione DQ, DQS e DQS
• DM Mask scrive i dati per aumentare/calo dei bordi del segnale di selezione dei dati
• Supporta ritardi programmabili di CAS di 5,6,7,8,9,10,11,13 e 14
• Lunghezza di scoppio programmabile di 4/8 con motivi sequenziali e interlacciati
• 8 unità di archiviazione
• Commerciale (da 0 ° C a 95 ° C), industriale (da -40 ° C a 95 ° C) e opzioni di temperatura automobilistiche (da -40 ° C a 105 ° C)
• JEDEC Standard 78-Ball FBGA (X8), FBGA a 96-ball (X16)
• Architettura prefetch a 8 bit

Packaging di esportazione standard disponibile. I clienti possono scegliere tra cartoni, custodie in legno e pallet in legno in base ai requisiti.