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Chip DRAM da 512K bit RAM dinamica SINCRONA IS42S32200L-7BLI

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Chip DRAM da 512K bit RAM dinamica SINCRONA IS42S32200L-7BLI

Chip DRAM da 512K bit RAM dinamica SINCRONA IS42S32200L-7BLI
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Grande immagine :  Chip DRAM da 512K bit RAM dinamica SINCRONA IS42S32200L-7BLI

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: ISSI
Certificazione: ROHS
Numero di modello: IS42S32200L-7BLI
Documento: 63DD5A49652FA2F720CC8FC0D52...48.pdf
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: CONSULT WITH
Imballaggi particolari: T/R
Tempi di consegna: 5-8day
Termini di pagamento: Western Union,T/T
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto Ora chiacchieri

Chip DRAM da 512K bit RAM dinamica SINCRONA IS42S32200L-7BLI

descrizione
Catalogo di prodotto: Memoria > Memoria a accesso casuale dinamico (DRAM) Imballaggio universale: BGA
RoHS: Rispetto Metodo di installazione: Installazione a montaggio superficiale
Temperatura di esercizio: -40°C (TA) -85°C (TA) Lunghezza * Larghezza * Altezza : 13mm*8mm
Grado di applicazione: Grado industriale Metodo di imballaggio: Palette
Evidenziare:

Chip DRAM da 512K bit

,

Chip DRAM sincrono

,

IS42S32200L-7BLI

DYNAMIC Random Access Memory DRAM 512K Bits SYNCHRONOUS Dynamic RAM IS42S32200L-7BLI
Specificativi del prodotto
Attributo Valore
Catalogo dei prodotti Memoria > Memoria a accesso casuale dinamico (DRAM)
Imballaggio universale BGA
RoHS Rispetto
Metodo di installazione Installazione di montaggio in superficie
Temperatura di funzionamento -40°C (TA) -85°C (TA)
Dimensioni (L×W×H) 13 mm × 8 mm
Grado di applicazione Grado industriale
Metodo di imballaggio Palette
Tensione di funzionamento minima 3V
Organizzazione 2Mx32
Larghezza del bus dati 32 bit
Tipo di interfaccia Parallelamente
Capacità di stoccaggio 64 Mb (2M × 32)
Corrente di alimentazione massima 90 mA
Tensione di funzionamento massima 3.6V
Caratteristiche del prodotto
  • Frequenza di orologeria: 200, 166, 143, 133 MHz
  • Completamente sincrono; tutti i segnali riferiti a un bordo orologio positivo
  • Banca interna per l'accesso/precarica della fila di nascondiglio
  • Fornitore di alimentazione singolo da 3,3 V con interfaccia LVTTL
  • Lunghezza di scatto programmabile (1, 2, 4, 8, pagina completa)
  • Sequenza di scoppio programmabile: Sequenziale/Interleave
  • Modi di aggiornamento automatico con 4096 cicli di aggiornamento
  • Indirizzo di colonna casuale ogni ciclo di orologio
  • La latenza del CAS programmabile (2, 3 ore)
  • Capacità di lettura/scrittura e di lettura/scrittura singola
Opzioni del pacchetto
  • 86 pin TSOP-II
  • 90 palle TF-BGA
Intervalli di temperatura di esercizio
  • Commerciale: da 0°C a +70°C
  • Industriale: da -40°C a +85°C
  • Categoria A1: da -40°C a +85°C
  • Categoria A2: da -40°C a +105°C
Immagini del prodotto
Chip DRAM da 512K bit RAM dinamica SINCRONA IS42S32200L-7BLI 0 Chip DRAM da 512K bit RAM dinamica SINCRONA IS42S32200L-7BLI 1 Chip DRAM da 512K bit RAM dinamica SINCRONA IS42S32200L-7BLI 2
Imballaggio e spedizione

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Domande frequenti
Come si ottiene il prezzo?

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Quali sono le opzioni di spedizione?

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Come si mantengono relazioni commerciali a lungo termine?

Manteniamo prezzi competitivi e qualità costante per garantire la soddisfazione dei clienti.

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