Побеседуйте теперь |
Главная страница ПродукцияМикросхема памяти ДРАХМЫ

Микросхема DRAM синхронной динамической памяти на 512 Кбит IS42S32200L-7BLI

Все продукты

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

(18)

Блок микроконтроллера MCU

(13)

Система SOC на чипе

(10)

IC MPU

(9)

CPLD PLD

(9)

Инфракрасный тепловой детектор

(1)

Обломок DSP IC

(12)

Микросхема памяти ДРАХМЫ

(8)

обломок eeprom

(10)

PSRAM Chip

(5)

Чип SRAM

(10)

Никакой вспышки

(10)

Микросхема EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(8)

Радиочастотные интегральные схемы

(10)

Литий-ионная батарея

(9)

Программирование ПЛК

(13)

Модуль GPS

(8)

Радиочастотный модуль

(8)

Модуль питания

(11)

Полупроводниковое реле

(10)

Антенна связи

(3)
Оставьте нам сообщение

Микросхема DRAM синхронной динамической памяти на 512 Кбит IS42S32200L-7BLI

Микросхема DRAM синхронной динамической памяти на 512 Кбит IS42S32200L-7BLI
Микросхема DRAM синхронной динамической памяти на 512 Кбит IS42S32200L-7BLI Микросхема DRAM синхронной динамической памяти на 512 Кбит IS42S32200L-7BLI Микросхема DRAM синхронной динамической памяти на 512 Кбит IS42S32200L-7BLI

Большие изображения :  Микросхема DRAM синхронной динамической памяти на 512 Кбит IS42S32200L-7BLI

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: КН
Фирменное наименование: ISSI
Сертификация: ROHS
Номер модели: ИС42С32200Л-7БЛИ
Документ: 63DD5A49652FA2F720CC8FC0D52...48.pdf
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1
Цена: CONSULT WITH
Упаковывая детали: Т/Р
Время доставки: 5-8day
Условия оплаты: Western Union,T/T
Поставка способности: 100000
контакт Побеседуйте теперь

Микросхема DRAM синхронной динамической памяти на 512 Кбит IS42S32200L-7BLI

описание
Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM) Универсальная упаковка: BGA
ROHS: Соответствие Способ установки: Установка поверхностного монтажа
Рабочая температура: -40°С (ТА) -85°С (ТА) Длина * Ширина * Высота: 13 мм*8 мм
Уровень применения: Технический сорт Способ упаковки: Поддон
Выделить:

Микросхема DRAM на 512 Кбит

,

Микросхема DRAM синхронная

,

ИС42С32200Л-7БЛИ

ДИНАМИЧЕСКАЯ ПРЕМЕРА РАНДОМНОГО ПРИВОДА DRAM 512K битов СИНХРОННАЯ ДИНАМИЧЕСКАЯ ПРЕМЕРА IS42S32200L-7BLI
Спецификации продукции
Атрибут Стоимость
Каталог продукции Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)
Универсальная упаковка BGA
RoHS Соответствие
Способ установки Установка на поверхности
Рабочая температура -40°С (ТА) -85°С (ТА)
Размеры (L × W × H) 13 мм × 8 мм
Уровень применения Промышленный класс
Способ упаковки Палитра
Минимальное рабочее напряжение 3В
Организация 2Mx32
Ширина шины шины 32 бита
Тип интерфейса Параллельно
Пропускная способность 64 Мб (2 Мб × 32)
Максимальный ток подачи 90 мА
Максимальное рабочее напряжение 3.6В
Характеристики продукта
  • Частота часов: 200, 166, 143, 133 МГц.
  • Полностью синхронный; все сигналы ссылаются на положительный часовой пояс
  • Внутренняя банка для доступа в укрытый ряд/предварительного зарядки
  • Единое питание 3.3V с интерфейсом LVTTL
  • Программируемая длина взрыва (1, 2, 4, 8, полная страница)
  • Программируемая последовательность взрывов: последовательность/промежуток
  • Режимы самообновления с 4096 циклами обновления
  • Случайный адрес столбца в каждом цикле часов
  • Программируемая задержка CAS (2, 3 часа)
  • Способность выполнять операцию чтения/записи и операцию чтения/записи за один раз
Варианты пакета
  • 86-контактный TSOP-II
  • 90 шаров TF-BGA
Диапазоны рабочей температуры
  • Коммерческая: от 0 до +70°C
  • Промышленный: от -40°C до +85°C
  • Автомобильный класс A1: от -40°C до +85°C
  • Автомобильный класс A2: от -40°C до +105°C
Изображения продукции
Микросхема DRAM синхронной динамической памяти на 512 Кбит IS42S32200L-7BLI 0 Микросхема DRAM синхронной динамической памяти на 512 Кбит IS42S32200L-7BLI 1 Микросхема DRAM синхронной динамической памяти на 512 Кбит IS42S32200L-7BLI 2
Упаковка и перевозка

Стандартная экспортная упаковка доступна. Клиенты могут выбирать из картона, деревянных чехлов и деревянных поддонов в соответствии со своими требованиями.

Часто задаваемые вопросы
Как получить цену?

Обычно мы предоставляем предложения в течение 24 часов после получения вашего запроса (за исключением выходных и праздничных дней).

Сколько у вас сроков доставки?

Время доставки зависит от количества заказа и сезона. Малые партии обычно отправляются в течение 7-15 дней, в то время как большие заказы могут занять примерно 30 дней.

Какие у вас условия оплаты?

Фабричные цены с 30% депозита и 70% остаток оплаты через T / T перед отправкой.

Какие варианты доставки?

Доступные способы доставки включают морскую перевозку, авиаперевозку и экспресс-доставку (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX).

Как вы поддерживаете долгосрочные деловые отношения?

Мы поддерживаем конкурентоспособные цены и стабильное качество, чтобы обеспечить удовлетворенность клиентов. Мы ценим все деловые отношения и стремимся к созданию долгосрочных партнерских отношений со всеми клиентами.

тег:

Драм чип,

чип-драм,

Микросхемы памяти драхмы

Контактная информация
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Контактное лицо: Mr. Sun

Телефон: 18824255380

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
FBGA-200 микросхема памяти DRAM 8 Гбит X16 X2 канала LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

FBGA-200 микросхема памяти DRAM 8 Гбит X16 X2 канала LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: FBGA-200

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
Микросхема памяти DRAM 2 ГБ F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Микросхема памяти DRAM 2 ГБ F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: BGA, FBGA

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
DDR3L X16 4 Гбит DRAM чип промышленный F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

DDR3L X16 4 Гбит DRAM чип промышленный F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: ФБГА-96

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
Микросхема памяти DRAM 512 МБ, 16 бит, 1,575 В, FBGA-96, H5TQ4G63EFR-RDC

Микросхема памяти DRAM 512 МБ, 16 бит, 1,575 В, FBGA-96, H5TQ4G63EFR-RDC

Каталог товаров: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Оборудование общего назначения: ФБГА-96

Способ установки: Установка поверхностного монтажа

Рабочая температура: 95°C (макс.)
Промышленный чип памяти DRAM DDR3l DDR3L X16 2 Гбит F60C1A0002-M69W

Промышленный чип памяти DRAM DDR3l DDR3L X16 2 Гбит F60C1A0002-M69W

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: ФБГА-96

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
около

Блок микроконтроллера MCU

UART SPI MCU Микроконтроллер Arm Cortex-A35 Микропроцессорный чип MA35D16F887C

Atmel 8-разрядный микроконтроллер (MCU) с памятью Flash 16-32 Кбайт, программируемой ATMEGA168PA-AU

128kB 8-битный микроконтроллер MCU AVR Core Microcomputer Chip ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

75520LE 11800ALM CPLD Программируемая логическая матрица XC7A75T-2FGG484I

9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip XC6SLX9-2CSG324I

2 X 32 КБ ПЛИС (CPLD) микросхемы программируемой логики 85000LE XC7Z020-2CLG484I

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший Качество FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив) поставщик. © 2025 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.