พูดคุยกันตอนนี้ |
บ้าน ผลิตภัณฑ์ชิปหน่วยความจำ DRAM

ชิป DRAM แบบไดนามิก SYNCHRONOUS ขนาด 512K บิต IS42S32200L-7BLI

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู

(18)

หน่วยไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU

(13)

ระบบบนชิป (SOC)

(10)

MPU IC

(9)

CPLD PLD

(9)

เครื่องตรวจจับความร้อนอินฟราเรด

(1)

ชิปไอซี DSP

(12)

ชิปหน่วยความจำ DRAM

(8)

ชิป EEPROM

(10)

ชิป PSRAM

(5)

ชิป SRAM

(10)

แฟลช NOR

(10)

EPROM IC

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(8)

เครื่องวงจรบูรณาการ RF

(10)

แบตเตอรี่ลิเธียมไอออน

(9)

การเขียนโปรแกรม PLC

(13)

โมดูล GPS

(8)

โมดูลความถี่วิทยุ

(8)

โมดูลพลังงาน

(11)

โซลิดสเตตรีเลย์

(10)

เสาอากาศสื่อสาร

(3)
สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

ชิป DRAM แบบไดนามิก SYNCHRONOUS ขนาด 512K บิต IS42S32200L-7BLI

ชิป DRAM แบบไดนามิก SYNCHRONOUS ขนาด 512K บิต IS42S32200L-7BLI
ชิป DRAM แบบไดนามิก SYNCHRONOUS ขนาด 512K บิต IS42S32200L-7BLI ชิป DRAM แบบไดนามิก SYNCHRONOUS ขนาด 512K บิต IS42S32200L-7BLI ชิป DRAM แบบไดนามิก SYNCHRONOUS ขนาด 512K บิต IS42S32200L-7BLI

ภาพใหญ่ :  ชิป DRAM แบบไดนามิก SYNCHRONOUS ขนาด 512K บิต IS42S32200L-7BLI

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: CN
ชื่อแบรนด์: ISSI
ได้รับการรับรอง: ROHS
หมายเลขรุ่น: IS42S32200L-7BLI
เอกสาร: 63DD5A49652FA2F720CC8FC0D52...48.pdf
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1
ราคา: CONSULT WITH
รายละเอียดการบรรจุ: ที/อาร์
เวลาการส่งมอบ: 5-8 วัน
เงื่อนไขการชำระเงิน: เวสเทิร์น ยูเนี่ยน, ที/ที
สามารถในการผลิต: 100,000
ติดต่อ พูดคุยกันตอนนี้

ชิป DRAM แบบไดนามิก SYNCHRONOUS ขนาด 512K บิต IS42S32200L-7BLI

ลักษณะ
แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM) บรรจุภัณฑ์สากล: บช.น
เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
อุณหภูมิการทํางาน: -40 ℃ (ta) -85 ℃ (ta) ความยาว * ความกว้าง * ความสูง: 13 มม.*8 มม.
เกรดแอปพลิเคชัน: เกรดอุตสาหกรรม วิธีการบรรจุภัณฑ์: พาเลท
เน้น:

ชิป DRAM ขนาด 512K บิต

,

ชิป DRAM แบบ Synchronous

,

IS42S32200L-7BLI

DYNAMIC Random Access Memory DRAM 512K Bits SYNCHRONOUS Dynamic RAM IS42S32200L-7BLI
ข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์
คุณสมบัติ ค่า
แคตตาล็อกสินค้า หน่วยความจำ > Dynamic Random Access Memory (DRAM)
บรรจุภัณฑ์สากล BGA
RoHS การปฏิบัติตาม
วิธีการติดตั้ง การติดตั้งแบบติดตั้งบนพื้นผิว
อุณหภูมิในการทำงาน -40℃(TA)-85℃(TA)
ขนาด (ยาว&ครั้ง;กว้าง&ครั้ง;สูง) 13 มม. &ครั้ง; 8 มม.
เกรดการใช้งาน เกรดอุตสาหกรรม
วิธีการบรรจุภัณฑ์ พาเลท
แรงดันไฟฟ้าในการทำงานขั้นต่ำ 3V
องค์กร 2Mx32
ความกว้างของบัสข้อมูล 32 บิต
ประเภทอินเทอร์เฟซ แบบขนาน
ความจุในการจัดเก็บ 64Mb (2M &ครั้ง; 32)
กระแสไฟสูงสุด 90mA
แรงดันไฟฟ้าในการทำงานสูงสุด 3.6V
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
  • ความถี่สัญญาณนาฬิกา: 200, 166, 143, 133 MHz
  • ซิงโครนัสอย่างสมบูรณ์; สัญญาณทั้งหมดอ้างอิงถึงขอบสัญญาณนาฬิกาบวก
  • ธนาคารภายในสำหรับการซ่อนการเข้าถึงแถว/การชาร์จล่วงหน้า
  • แหล่งจ่ายไฟ 3.3V เดี่ยวพร้อมอินเทอร์เฟซ LVTTL
  • ความยาวของชุดข้อมูลที่ตั้งโปรแกรมได้ (1, 2, 4, 8, หน้าเต็ม)
  • ลำดับชุดข้อมูลที่ตั้งโปรแกรมได้: ลำดับ/สลับ
  • โหมดการรีเฟรชตัวเองพร้อมรอบการรีเฟรช 4096 รอบ
  • ที่อยู่คอลัมน์แบบสุ่มทุกรอบสัญญาณนาฬิกา
  • ความหน่วง CAS ที่ตั้งโปรแกรมได้ (2, 3 สัญญาณนาฬิกา)
  • ความสามารถในการดำเนินการอ่าน/เขียนแบบชุดข้อมูลและอ่าน/เขียนเดี่ยวแบบชุดข้อมูล
ตัวเลือกแพ็คเกจ
  • 86-pin TSOP-II
  • 90-ball TF-BGA
ช่วงอุณหภูมิในการทำงาน
  • เชิงพาณิชย์: 0°C ถึง +70°C
  • อุตสาหกรรม: -40°C ถึง +85°C
  • เกรดยานยนต์ A1: -40°C ถึง +85°C
  • เกรดยานยนต์ A2: -40°C ถึง +105°C
รูปภาพสินค้า
ชิป DRAM แบบไดนามิก SYNCHRONOUS ขนาด 512K บิต IS42S32200L-7BLI 0 ชิป DRAM แบบไดนามิก SYNCHRONOUS ขนาด 512K บิต IS42S32200L-7BLI 1 ชิป DRAM แบบไดนามิก SYNCHRONOUS ขนาด 512K บิต IS42S32200L-7BLI 2
การบรรจุและการจัดส่ง

มีบรรจุภัณฑ์ส่งออกมาตรฐาน ลูกค้าสามารถเลือกจากกล่องกระดาษแข็ง กล่องไม้ และพาเลทไม้ได้ตามความต้องการ

คำถามที่พบบ่อย
จะได้รับราคาได้อย่างไร

โดยทั่วไปเราจะให้ใบเสนอราคาภายใน 24 ชั่วโมงหลังจากได้รับคำถามของคุณ (ไม่รวมวันหยุดสุดสัปดาห์และวันหยุดนักขัตฤกษ์) สำหรับคำขอราคาเร่งด่วน โปรดติดต่อเราโดยตรงทางอีเมลหรือโทรศัพท์

เวลาในการจัดส่งของคุณคืออะไร

เวลาในการจัดส่งขึ้นอยู่กับปริมาณการสั่งซื้อและฤดูกาล โดยทั่วไปการจัดส่งเป็นชุดเล็กจะใช้เวลา 7-15 วัน ในขณะที่การสั่งซื้อจำนวนมากอาจใช้เวลาประมาณ 30 วัน

เงื่อนไขการชำระเงินของคุณคืออะไร

ราคาโรงงานพร้อมเงินมัดจำ 30% และยอดคงเหลือ 70% ชำระผ่าน T/T ก่อนจัดส่ง

ตัวเลือกการจัดส่งมีอะไรบ้าง

วิธีการจัดส่งที่มี ได้แก่ การขนส่งทางทะเล การขนส่งทางอากาศ และการจัดส่งแบบด่วน (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX) โปรดยืนยันวิธีการที่คุณต้องการก่อนทำการสั่งซื้อ

คุณรักษาความสัมพันธ์ทางธุรกิจระยะยาวอย่างไร

เรารักษาราคาที่แข่งขันได้และคุณภาพที่สม่ำเสมอเพื่อให้มั่นใจในความพึงพอใจของลูกค้า เราให้ความสำคัญกับความสัมพันธ์ทางธุรกิจทุกครั้งและมุ่งมั่นที่จะสร้างความร่วมมือที่ยั่งยืนกับลูกค้าทุกราย

แท็ก:

ชิป dram,

ชิปหน่วยความจำ Dram,

ชิป DRAM ขนาด 512K บิต

รายละเอียดการติดต่อ
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

ผู้ติดต่อ: Mr. Sun

โทร: 18824255380

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ
ชิปความจํา FBGA-200 DRAM 8Gb X16 X2 ช่อง LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

ชิปความจํา FBGA-200 DRAM 8Gb X16 X2 ช่อง LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์สากล: FBGA-2000

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
ชิปหน่วยความจำ DRAM ขนาด 2Gb F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

ชิปหน่วยความจำ DRAM ขนาด 2Gb F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์สากล: BGA， FBGA

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
DDR3L X16 4Gb DRAM ชิปอุตสาหกรรม F60C1A0004-M7

DDR3L X16 4Gb DRAM ชิปอุตสาหกรรม F60C1A0004-M7

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

การบรรจุภัณฑ์ทั่วไป: FBGA-96

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
ชิปความจํา DRAM ขนาด 512MB 16 บิต 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

ชิปความจํา DRAM ขนาด 512MB 16 บิต 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์ทั่วไป: FBGA-96

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount

อุณหภูมิการทํางาน: 95 ℃ (สูงสุด)
ชิปความจํา DRAM อุตสาหกรรม DDR3l DDR3L X16 2GB F60C1A0002-M69W

ชิปความจํา DRAM อุตสาหกรรม DDR3l DDR3L X16 2GB F60C1A0002-M69W

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์สากล: FBGA-96

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
เกี่ยวกับ

หน่วยไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU

UART SPI MCU ไมโครคอนโทรลเลอร์ Arm Cortex-A35 ไมโครโปรเซสเซอร์ ชิป MA35D16F887C

ไมโครคอนโทรลเลอร์ Atmel 8 บิต MCU หน่วยความจำแฟลชแบบตั้งโปรแกรมได้ 16 32KBytes ATMEGA168PA-AU

ไมโครคอนโทรลเลอร์ 128kB 8 บิต หน่วยประมวลผลกลาง (MCU) ชิปไมโครคอมพิวเตอร์ AVR Core ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู

75520LE 11800ALM CPLD อาร์เรย์ตรรกะอุปกรณ์ที่ตั้งโปรแกรมได้ภาคสนาม XC7A75T-2FGG484I

9152LE 200I/O Field Gate Array ชิปอุปกรณ์ตรรกะแบบตั้งโปรแกรมได้ XC6SLX9-2CSG324I

ชิป Cpld 2 ตัว ขนาด 32 KB ชิปตรรกะแบบตั้งโปรแกรมได้ 85000LE XC7Z020-2CLG484I

ทิ้งข้อความไว้

นโยบายความเป็นส่วนตัว | จีน ดี คุณภาพ FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู จําหน่าย. © 2025 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.