Микросхема памяти DRAM 512 МБ, 16 бит, 1,575 В, FBGA-96, H5TQ4G63EFR-RDC

Микросхема динамической памяти DRAM 512MB 16-bit FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC представляет собой 4,294,967,296-битный CMOS синхронный DRAM с двойной скоростью передачи данных III (DDR3), идеально подходящий для приложений основной памяти, требующих памяти высокой плотности и высокой пропускной способности.

SK Hynix 4Gb DDR3 SDRAM предлагает полностью синхронную работу, ссылаясь на нарастающие и спадающие фронты тактового сигнала. Все входные сигналы адреса и управления фиксируются на нарастающем фронте CK, в то время как данные, стробы данных и входные сигналы маски записи данных выбираются на обоих нарастающих и спадающих фронтах.

• VDD=VDDQ=1.5V ± 0.075V
• Полностью дифференциальный тактовый вход (CK, CK)
• Дифференциальный номер связи выбора данных (DQS, DQS)
• Выравнивание встроенных DLLS с переходом DQ, DQS и DQS
• DM маскирует запись данных на нарастающие/спадающие фронты сигнала выбора данных
• Поддерживает программируемые задержки CAS 5,6,7,8,9,10,11,13 и 14
• Программируемая длина пакета 4/8 с последовательными и чередующимися шаблонами
• 8 блоков хранения
• Коммерческие (от 0°C до 95°C), промышленные (от -40°C до 95°C) и автомобильные (от -40°C до 105°C) температурные опции
• Стандарт JEDEC 78-ball FBGA(x8), 96-ball FBGA(x16)
• 8-битная архитектура предварительной выборки

Доступна стандартная экспортная упаковка. Клиенты могут выбирать из коробок, деревянных ящиков и деревянных поддонов в соответствии с требованиями.