512MB 16-bitowy chip pamięci DRAM 1,575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

DRAM dynamiczna pamięć o losowym dostępie 512MB 16-bitowy FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC to 4,294,967,296-bitowa CMOS dual data rate III (DDR3) synchroniczna pamięć DRAM, bardzo odpowiednia do zastosowań pamięci głównej wymagających pamięci o dużej gęstości i dużej przepustowości.

SK Hynix 4Gb DDR3 SDRAM oferuje w pełni synchroniczną pracę, odnosząc się do górnych i dolnych krawędzi zegara.Stroboskopy danych i maski do pisania danych wprowadzane są zarówno na górnych, jak i niższych krawędziach.

• VDD=VDDQ=1,5V ± 0,075V
• Wprowadzenie pełnego różnicowego zegara (CK, CK)
• Numer komunikacji selekcji danych różnicowych (DQS, DQS)
• Zalicz DLLS na układzie z przejściem DQ, DQS i DQS
• Maska DM zapisuje dane na wznoszących się/opadających krawędziach sygnału wyboru danych
• Wspiera programowalne opóźnienia CAS 5,6,7,8,9,10,11, 13 i 14
• Programowalna długość wybuchu 4/8 z sekwencyjnymi i przełączonymi wzorami
• 8 jednostek magazynowych
• Opcje temperatury w przemyśle (0°C do 95°C), przemyśle (-40°C do 95°C) i motoryzacyjnym (-40°C do 105°C)
• JEDEC standardowy 78-kulaty FBGA ((x8), 96-kulaty FBGA ((x16)
• 8-bitowa architektura prefetch

Dostępne standardowe opakowania eksportowe. Klienci mogą wybierać z kartonów, drewnianych pudełek i drewnianych palet zgodnie z wymaganiami.