2Gb F Die Układ pamięci DRAM Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Dynamiczna pamięć o losowym dostępie DRAM 2 GB F-die DDR3 SDRAM X16 K4B2G1646F-BCMA

• Zasilanie standardowe JEDEC 1,5 V + 0,075 V
• VDoo = 1,5 V + 0,075 V
• 400 MHz fcx dla 800Mb/s/pin, 533MHz fck dla 1066Mb/s/pin, 667MHz fck dla 1333Mb/s/pin, 800MHz fck dla 1600Mb/s/pin, 933MHz fck dla 1866Mb/s/pin, 1066MHz fck dla 2133Mb/s/pin
• 8 Banki
• Programmable CAS Latency (posted CAS): 5,6,7,8,9,10,11,13,14
• Zaprogramowalna dodatnia opóźnienie: 0, CL-2 lub CL-1 zegar
• Programmable CAS Write Latency (CWL)=5 ((DDR3-800),6 ((DDR3-1066),7 ((DDR3-1333),8 ((DDR3-1600),9 ((DDR3-1866),10 ((DDR3-2133)
• 8-bitowy pre-fetch
• Długość wybuchu: 8 (przekład bez ograniczeń, sekwencyjny tylko z adresem początkowym "000"), 4 z tCCD = 4, co nie pozwala na bezproblemowe odczytywanie lub zapisywanie
• Dwu kierunkowe różnicowe paski danych
• 2Gb DDR3 SDRAM F-die jest zorganizowany jako urządzenie 16Mbit x 16 IO x 8 banków
• Wewnętrzna (samodzielna) kalibracja na wykończeniu matricowym przy użyciu szpilki ODT
• Asynchroniczne resetowanie
• Pakiet: 96 kul FBGA-x16
• Wszystkie produkty bez ołowiu są zgodne z RoHS
• Wszystkie produkty są wolne od halogenów