nói chuyện ngay. |
Nhà Sản phẩmChip bộ nhớ DRAM

2Gb F Die DRAM Memory Chip Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Tất cả sản phẩm

FPGA Field Programmable Gate Array

(18)

Đơn vị vi điều khiển MCU

(13)

hệ thống soc trên chip

(10)

IC MPU

(9)

CPLD PLD

(9)

Máy phát hiện nhiệt hồng ngoại

(1)

Chip vi mạch DSP

(12)

Chip bộ nhớ DRAM

(8)

Chip Eeprom

(10)

Chip PSRAM

(5)

Chip SRAM

(10)

KHÔNG nhấp nháy

(10)

IC EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(8)

Các mạch tích hợp RF

(10)

Pin Li-ion

(9)

Lập trình PLC

(13)

Mô-đun GPS

(8)

Mô hình tần số vô tuyến

(8)

Mô-đun nguồn

(11)

Rơle trạng thái rắn

(10)

Anten giao tiếp

(3)
Tôi trò chuyện trực tuyến bây giờ

2Gb F Die DRAM Memory Chip Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

2Gb F Die DRAM Memory Chip Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA
2Gb F Die DRAM Memory Chip Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA 2Gb F Die DRAM Memory Chip Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA 2Gb F Die DRAM Memory Chip Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Hình ảnh lớn :  2Gb F Die DRAM Memory Chip Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Thông tin chi tiết sản phẩm:
Nguồn gốc: KR
Hàng hiệu: SAMSUNG
Chứng nhận: ROHS
Số mô hình: K4B2G1646F-BCMA
Tài liệu: f9992365253dbc5e910d785c265...26.pdf
Thanh toán:
Số lượng đặt hàng tối thiểu: 1
Giá bán: CONSULT WITH
chi tiết đóng gói: T/R
Thời gian giao hàng: 5-8 ngày
Điều khoản thanh toán: Western Union,T/T
Khả năng cung cấp: 100000
Tiếp xúc nói chuyện ngay.

2Gb F Die DRAM Memory Chip Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Sự miêu tả
Danh mục sản phẩm: Bộ nhớ> Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM) Bao bì phổ quát: BGA ， FBGA
RoHS: Tuân thủ Phương pháp lắp đặt: Lắp đặt bề mặt
Nhiệt độ hoạt động: 0 ℃ ~ 95 Chiều dài * chiều rộng * chiều cao: 13.3mm*750cm*1.1mm
Lớp ứng dụng: thương mại cấp phương pháp đóng gói: Pallet
Làm nổi bật:

Chip bộ nhớ DRAM 2Gb

,

F die Dynamic Random Access Memory (Tưởng nhớ truy cập ngẫu nhiên động)

,

K4B2G1646F-BCMA

Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động DRAVE
Thông số kỹ thuật sản phẩm
Thuộc tính Giá trị
Danh mục sản phẩm Bộ nhớ> Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM)
Bao bì phổ quát BGA, FBGA
Rohs Sự tuân thủ
Phương pháp cài đặt Cài đặt gắn trên bề mặt
Nhiệt độ hoạt động 0 ℃ ~ 95
Kích thước (L × W × H) 13,3mm × 750cm × 1.1mm
Lớp ứng dụng Lớp thương mại
Phương pháp đóng gói Pallet
Điện áp cung cấp năng lượng làm việc tối thiểu 1.425V
Tổ chức 128mx16
Chiều rộng xe buýt dữ liệu 16 bit
Loại giao diện SSTL_1.5
Dung lượng lưu trữ 256MB
Hiện tại cung cấp tối đa 134MA
Điện áp cung cấp năng lượng làm việc tối đa 1.575V
Chi tiết kỹ thuật

Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động DRAVE

  • Jedec Standard 1.5V + 0,075V cung cấp năng lượng
  • VDOO = 1,5V + 0,075V
  • 400 MHz FCX cho 800MB/giây/pin, 533 MHz FCK cho 1066MB/giây/pin, 667 MHz FCK cho 1333mb/giây/pin
  • 8 ngân hàng
  • Độ trễ CAS có thể lập trình (đã đăng CAS): 5,6,7,8,9,10,11,13,14
  • Độ trễ phụ gia có thể lập trình: Đồng hồ 0, CL-2 hoặc CL-1
  • Độ trễ ghi CAS có thể lập trình (CWL) = 5 (DDR3-800), 6 (DDR3-1066), 7 (DDR3-1333), 8 (DDR3-1600), 9 (DDR3-1866), 10 (DDR3-2133)
  • 8 bit trước
  • Độ dài nổ: 8 (xen kẽ không có giới hạn, tuần tự chỉ có địa chỉ bắt đầu "000"), 4 với TCCD = 4 không cho phép đọc hoặc ghi liền mạch
  • Bi-Directional Data-Strobe
  • 2GB DDR3 SDRAM F-DIE được tổ chức dưới dạng thiết bị 16mbit x 16 ios x 8 ngân hàng
  • Hiệu chỉnh bên trong (tự) khi chấm dứt bằng cách sử dụng pin ODT
  • Đặt lại không đồng bộ
  • Gói: 96 quả bóng FBGA-X16
  • Tất cả các sản phẩm không có chì đều tuân thủ ROHS
  • Tất cả các sản phẩm đều không có halogen
Hình ảnh sản phẩm
2Gb F Die DRAM Memory Chip Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA 0 2Gb F Die DRAM Memory Chip Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA 1 2Gb F Die DRAM Memory Chip Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA 2
Bao bì và vận chuyển
  • Bao bì xuất khẩu tiêu chuẩn
  • Khách hàng có thể chọn từ các thùng, hộp gỗ và pallet bằng gỗ theo yêu cầu của họ
Câu hỏi thường gặp
1. Làm thế nào để có được giá?

Chúng tôi thường trích dẫn trong vòng 24 giờ sau khi nhận được cuộc điều tra của bạn (trừ cuối tuần và ngày lễ). Nếu bạn đang cần một mức giá khẩn cấp, xin vui lòng liên hệ trực tiếp với chúng tôi để có phản hồi nhanh hơn.

2. Thời gian giao hàng của bạn là gì?

Thông thường 7-15 ngày đối với các lô nhỏ, khoảng 30 ngày cho các lô lớn, tùy thuộc vào số lượng đặt hàng và mùa.

3. Điều khoản thanh toán của bạn là gì?

Giá nhà máy, tiền gửi 30%, thanh toán 70% t/t trước khi giao hàng.

4. Chế độ vận chuyển là gì?

Có sẵn bằng đường biển, giao hàng không khí hoặc chuyển phát nhanh (EMS, UPS, DHL, TNT, FedEx, v.v.). Vui lòng xác nhận với chúng tôi trước khi đặt hàng.

5. Bạn giúp doanh nghiệp của chúng tôi thiết lập mối quan hệ lâu dài như thế nào?

Chúng tôi duy trì chất lượng tốt và giá cả cạnh tranh để đảm bảo lợi ích của khách hàng. Chúng tôi tôn trọng mọi khách hàng và giá trị các mối quan hệ kinh doanh lâu dài.

Từ khóa:

chip dram,

chip nhớ bộ nhớ,

Chip bộ nhớ DRAM 2Gb

Chi tiết liên lạc
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Người liên hệ: Mr. Sun

Tel: 18824255380

Gửi yêu cầu thông tin của bạn trực tiếp cho chúng tôi (0 / 3000)

về

Đơn vị vi điều khiển MCU

UART SPI MCU Microcontroller Arm Cortex-A35 Vi xử lý chip MA35D16F887C

Bộ vi điều khiển MCU 8-Bit Atmel 16 32KBytes Flash có thể lập trình ATMEGA168PA-AU

Vi điều khiển MCU 8-bit 128kB Chip vi mạch AVR Core ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array

75520LE 11800ALM CPLD Mảng logic thiết bị lập trình trường XC7A75T-2FGG484I

9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip XC6SLX9-2CSG324I

2 X 32 KB chip Cpld chip logic lập trình 85000LE XC7Z020-2CLG484I

Để lại tin nhắn

Chính sách bảo mật | Trung Quốc tốt Chất lượng FPGA Field Programmable Gate Array nhà cung cấp. © 2025 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.