Chip de memoria DRAM de 512MB y 16 bits 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

El chip de memoria DRAM de acceso aleatorio dinámico de 512MB y 16 bits FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC es una DRAM síncrona CMOS de doble velocidad de datos III (DDR3) de 4.294.967.296 bits, muy adecuada para aplicaciones de memoria principal que requieren memoria de alta densidad y alto ancho de banda.

SK Hynix 4Gb DDR3 SDRAM ofrece un funcionamiento totalmente síncrono, refiriéndose a los flancos ascendentes y descendentes del reloj. Todas las entradas de dirección y control se cierran en el flanco ascendente de CK, mientras que los datos, los estrobos de datos y las entradas de máscaras de datos de escritura se muestrean en ambos flancos ascendentes y descendentes.

• VDD=VDDQ=1.5V ± 0.075V
• Entrada de reloj totalmente diferencial (CK, CK)
• Número de comunicación de selección de datos diferenciales (DQS, DQS)
• Alinea los DLLS en el chip con la transición de DQ, DQS y DQS
• DM enmascara los datos de escritura a los flancos ascendentes/descendentes de la señal de selección de datos
• Admite retardos CAS programables de 5,6,7,8,9,10,11,13 y 14
• Longitud de ráfaga programable de 4/8 con patrones secuenciales e intercalados
• 8 unidades de almacenamiento
• Opciones de temperatura comercial (0°C a 95°C), industrial (-40°C a 95°C) y automotriz (-40°C a 105°C)
• FBGA estándar JEDEC de 78 bolas (x8), FBGA de 96 bolas (x16)
• Arquitectura de precarga de 8 bits

Embalaje de exportación estándar disponible. Los clientes pueden elegir entre cajas de cartón, cajas de madera y palés de madera según sus necesidades.