Τσιπ μνήμης DRAM 512MB 16bit 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

Τσιπ μνήμης δυναμικής τυχαίας πρόσβασης DRAM 512MB 16-bit FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC είναι ένα 4,294,967,296-bit CMOS dual data rate III (DDR3) συγχρονισμένη DRAM, εξαιρετικά κατάλληλη για εφαρμογές κύριας μνήμης που απαιτούν μνήμη υψηλής πυκνότητας και μεγάλο εύρος ζώνης.

Η SK Hynix 4Gb DDR3 SDRAM προσφέρει πλήρως συγχρονισμένη λειτουργία, αναφερόμενη στις αυξανόμενες και μειούμενες άκρες του ρολογιού.Τα δεδομένα strobes και γράψτε τα δεδομένα μάσκες εισροές δειγματοληφθούν τόσο στις αυξανόμενες όσο και στις μειούμενες άκρες.

• Δοκιμαστικό σύστημα
• Πλήρως διαφορική είσοδος ρολογιού (CK, CK)
• Αριθμός επικοινωνίας επιλογής διαφορικών δεδομένων (DQS, DQS)
• Προσαρμογή των DLLS στο τσιπ με τη μετάβαση DQ, DQS και DQS
• Η μάσκα DM γράφει δεδομένα στις αυξανόμενες/κατεχόμενες άκρες του σήματος επιλογής δεδομένων
• Υποστηρίζει προγραμματισμένες καθυστερήσεις CAS 5,6,7,8,9,10,11, 13 και 14
• Προγραμματισμένο μήκος εκρήξεως 4/8 με διαδοχικά και διασταυρωμένα μοτίβα
• 8 μονάδες αποθήκευσης
• Επιλογές θερμοκρασίας για εμπορικούς σκοπούς (0 °C έως 95 °C), βιομηχανικούς σκοπούς (-40 °C έως 95 °C) και αυτοκινητοβιομηχανικούς σκοπούς (-40 °C έως 105 °C)
• Το πρότυπο JEDEC 78-ball FBGA ((x8), 96-ball FBGA ((x16)
• Αρχιτεκτονική 8-bit prefetch

Οι πελάτες μπορούν να επιλέξουν από χαρτόνια, ξύλινα κιβώτια και ξύλινες παλέτες σύμφωνα με τις απαιτήσεις.