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Chip de memoria de la COPITA

China Chip de memoria de la COPITA

Chip de memoria de DRAM FBGA-200 8Gb X16 X2 Canal LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

Catálogo de producto:Memoria > Memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM)

Empaquetado universal:Se aplican las siguientes medidas:

Protección de la salud:El cumplimiento
Chip de memoria DRAM F Die de 2 Gb, memoria de acceso aleatorio dinámico DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Catálogo de producto:Memoria > Memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM)

Empaquetado universal:BGA, FBGA

Protección de la salud:El cumplimiento
DDR3L X16 4Gb DRAM Chip Industrial F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

Catálogo de producto:Memoria > Memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM)

Embalaje universal:FBGA-96

Protección de la salud:El cumplimiento
Chip de memoria DRAM de 512MB y 16 bits 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

Catálogo de mercancías:Memoria > Memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM)

Envases de uso general:FBGA-96

Método de instalación:Instalación de montaje en superficie
Chip de memoria DRAM industrial DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

Catálogo de producto:Memoria > Memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM)

Empaquetado universal:FBGA-96

Protección de la salud:El cumplimiento
Chip DRAM de 512K bits RAM dinámica sincrónica IS42S32200L-7BLI

Catálogo de producto:Memoria > Memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM)

Empaquetado universal:BGA

Protección de la salud:El cumplimiento
8Gb C chip de memoria DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

Catálogo de producto:Memoria > Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio DRAM

Empaquetado universal:FBGA-96

Protección de la salud:El cumplimiento
Chips de memoria DRAM DDR4 de 16 Gb, 1,2 V, SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

Catálogo de producto:Memoria > Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio

Embalaje universal:FBGA-96

Protección de la salud:El cumplimiento
W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM Memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono de alta velocidad

Temperatura de funcionamiento:-40℃~+85℃

Voltaje de funcionamiento:3V~3.6V

Arquitectura de memoria (formato):SDRAM
W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Dos transferencias de datos por ciclo de reloj

Temperatura de funcionamiento:0℃~+85℃

Voltaje de funcionamiento:1,7 V ~ 1,9 V

Arquitectura de memoria (formato):DDR2 SDRAM
W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM Memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono de alta velocidad

Temperatura de funcionamiento:-40℃~+85℃

Voltaje de funcionamiento:3V~3.6V

Arquitectura de memoria (formato):SDRAM
MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 DDR4 automotriz SDRAM 1.6GHz 1.14V ~ 1.26V

Temperatura de funcionamiento:0℃~+95℃

Voltaje de funcionamiento:1,14 V ~ 1,26 V

Arquitectura de memoria (formato):DDR SDRAM

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Módulo de Radiofrecuencia
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Antena de la comunicación
Conector
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Chip de memoria DRAM F Die de 2 Gb, memoria de acceso aleatorio dinámico DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

DDR3L X16 4Gb DRAM Chip Industrial F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

Chip de memoria DRAM de 512MB y 16 bits 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

Chip de memoria DRAM industrial DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

Chip DRAM de 512K bits RAM dinámica sincrónica IS42S32200L-7BLI

8Gb C chip de memoria DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

Chips de memoria DRAM DDR4 de 16 Gb, 1,2 V, SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM Memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono de alta velocidad

W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Dos transferencias de datos por ciclo de reloj

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM Memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono de alta velocidad

MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 DDR4 automotriz SDRAM 1.6GHz 1.14V ~ 1.26V

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