中国 ドラムのメモリー チップ

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  FBGA-200 DRAMメモリーチップ 8Gb X16 X2チャネル LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

  製品カタログ:メモリ > ダイナミックランダムアクセスメモリ (DRAM)

  ユニバーサルパッケージ:FBGA-200

  ROHS:準拠性

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  2Gb F Die DRAM メモリチップ ダイナミックランダムアクセスメモリ DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

  製品カタログ:メモリ > ダイナミックランダムアクセスメモリ (DRAM)

  ユニバーサルパッケージ:BGA、FBGA

  ROHS:準拠性

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  DDR3L X16 4Gb DRAM チップ インダストリアル F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

  製品カタログ:メモリ > ダイナミックランダムアクセスメモリ (DRAM)

  ユニバーサルパッケージ:FBGA-96

  ROHS:準拠性

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  512MB 16bit DRAMメモリーチップ 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

  商品カタログ:メモリ > ダイナミックランダムアクセスメモリ (DRAM)

  汎用パッケージング:FBGA-96

  Installation Method:表面実装のインストール

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  産業用DRAMメモリーチップ DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

  製品カタログ:メモリ > ダイナミックランダムアクセスメモリ (DRAM)

  ユニバーサルパッケージ:FBGA-96

  ROHS:準拠性

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  512K ビット チップ DRAM 同期ダイナミック RAM IS42S32200L-7BLI

  製品カタログ:メモリ > ダイナミックランダムアクセスメモリ (DRAM)

  ユニバーサルパッケージ:BGA

  ROHS:準拠性

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  8Gb C Die DRAM Memory Chip DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

  製品カタログ:メモリ > ダイナミックランダムアクセスメモリ DRAM

  ユニバーサルパッケージ:FBGA-96

  ROHS:準拠性

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  16GB DDR4 ドラムメモリチップ 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

  製品カタログ:メモリ > ダイナミックランダムアクセスメモリ

  ユニバーサルパッケージ:FBGA-96

  ROHS:準拠性

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  FEMDNN008G-08A39 BGA-153 8G EMMC Flash Memory Chip

  インターフェイスタイプ:エム・MC・51

  動作電圧:2.7Vへの3.6V

  動作温度:-25 ℃〜 +85℃

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  FEMDNN032G-A3A55 EMMC Memory Chip

  インターフェイスタイプ:エム・MC・51

  動作電圧:2.7Vへの3.6V

  動作温度:-40℃〜 +85℃

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  FEMDRW064G88A19 BGA153 EMMC Memory Chip

  インターフェイスタイプ:エム・MC・51

  動作電圧:2.7Vへの3.6V

  動作温度:-40℃〜 +85℃

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  64GB UFS 2.1 NANDフラッシュメモリチップ K3KL9L90CM-MGCT BGA

  タイプ:NAND フラッシュメモリ

  インターフェイス標準:UFS 2.1

  容量:64GB

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