中国 ドラムのメモリー チップ

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  FBGA-200 DRAMメモリーチップ 8Gb X16 X2チャネル LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

  製品カタログ:メモリ > ダイナミックランダムアクセスメモリ (DRAM)

  ユニバーサルパッケージ:FBGA-200

  ROHS:準拠性

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  2Gb F Die DRAM メモリチップ ダイナミックランダムアクセスメモリ DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

  製品カタログ:メモリ > ダイナミックランダムアクセスメモリ (DRAM)

  ユニバーサルパッケージ:BGA、FBGA

  ROHS:準拠性

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  DDR3L X16 4Gb DRAM チップ インダストリアル F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

  製品カタログ:メモリ > ダイナミックランダムアクセスメモリ (DRAM)

  ユニバーサルパッケージ:FBGA-96

  ROHS:準拠性

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  512MB 16bit DRAMメモリーチップ 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

  商品カタログ:メモリ > ダイナミックランダムアクセスメモリ (DRAM)

  汎用パッケージング:FBGA-96

  Installation Method:表面実装のインストール

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  産業用DRAMメモリーチップ DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

  製品カタログ:メモリ > ダイナミックランダムアクセスメモリ (DRAM)

  ユニバーサルパッケージ:FBGA-96

  ROHS:準拠性

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  512K ビット チップ DRAM 同期ダイナミック RAM IS42S32200L-7BLI

  製品カタログ:メモリ > ダイナミックランダムアクセスメモリ (DRAM)

  ユニバーサルパッケージ:BGA

  ROHS:準拠性

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  8Gb C Die DRAM Memory Chip DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

  製品カタログ:メモリ > ダイナミックランダムアクセスメモリ DRAM

  ユニバーサルパッケージ:FBGA-96

  ROHS:準拠性

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  16GB DDR4 ドラムメモリチップ 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

  製品カタログ:メモリ > ダイナミックランダムアクセスメモリ

  ユニバーサルパッケージ:FBGA-96

  ROHS:準拠性

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  W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM 高速同期動的ランダムアクセスメモリ

  動作温度:-40℃～+85℃

  動作電圧:3V~3.6V

  メモリアーキテクチャ（フォーマット）:SDRAM

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  W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G ビット DDR2 SDRAM 時計サイクルあたり2回のデータ転送

  動作温度:0℃~+85℃

  動作電圧:1.7V～1.9V

  メモリアーキテクチャ（フォーマット）:DDR2 SDRAM

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  W9825G6KH-6I 4M 16ビット SDRAM 高速同期ダイナミックランダムアクセスメモリ

  動作温度:-40℃～+85℃

  動作電圧:3V~3.6V

  メモリアーキテクチャ（フォーマット）:SDRAM

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  MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 オートモーティブ DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V

  動作温度:0℃～+95℃

  動作電圧:1.14V～1.26V

  メモリアーキテクチャ（フォーマット）:DDR SDRAM

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