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Chip di memoria di DRAM

Cina Chip di memoria di DRAM

Chip di memoria DRAM FBGA-200 8Gb X16 X2 Channel LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

Catalogo di prodotto:Memoria > Memoria a accesso casuale dinamico (DRAM)

Imballaggio universale:FBGA-200

RoHS:Rispetto
2Gb F Die DRAM Chip di memoria DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Catalogo di prodotto:Memoria > Memoria a accesso casuale dinamico (DRAM)

Imballaggio universale:BGA, FBGA

RoHS:Rispetto
Chip DRAM DDR3L X16 4Gb Industriale F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

Catalogo di prodotto:Memoria > Memoria a accesso casuale dinamico (DRAM)

Imballaggio universale:FBGA-96

RoHS:Rispetto
Chip di memoria DRAM da 512 MB a 16 bit 1,575 V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

Catalogo delle merci:Memoria > Memoria a accesso casuale dinamico (DRAM)

Imballaggi per uso generale:FBGA-96

Metodo di installazione:Installazione a montaggio superficiale
Chip di memoria DRAM industriale DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

Catalogo di prodotto:Memoria > Memoria a accesso casuale dinamico (DRAM)

Imballaggio universale:FBGA-96

RoHS:Rispetto
Chip DRAM da 512K bit RAM dinamica SINCRONA IS42S32200L-7BLI

Catalogo di prodotto:Memoria > Memoria a accesso casuale dinamico (DRAM)

Imballaggio universale:BGA

RoHS:Rispetto
8Gb C chip di memoria DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

Catalogo di prodotto:Memoria >Dynamic Random Access Memory DRAM

Imballaggio universale:FBGA-96

RoHS:Rispetto
Chip di memoria DRAM DDR4 da 16 Gb 1,2 V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

Catalogo di prodotto:Memoria > Memoria ad accesso casuale dinamica

Imballaggio universale:FBGA-96

RoHS:Rispetto
W9825G6JH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM Memoria ad accesso casuale sincrona dinamica ad alta velocità

Temperatura operativa:-40℃~+85℃

Tensione operativa:3V~3.6V

Architettura della memoria (formato):SDRAM
W971GG6NB-25 8M 8BANKS 16BIT 1G Bits DDR2 SDRAM Due trasferimenti di dati per ciclo di orologeria

Temperatura operativa:0℃~+85℃

Tensione operativa:1,7 V~1,9 V

Architettura della memoria (formato):DDR2 SDRAM
W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM Memoria ad accesso casuale sincrona dinamica ad alta velocità

Temperatura operativa:-40℃~+85℃

Tensione operativa:3V~3.6V

Architettura della memoria (formato):SDRAM
MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V

Temperatura operativa:0℃~+95℃

Tensione operativa:1,14 V~1,26 V

Architettura della memoria (formato):SDRAM DDR

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Chip DRAM DDR3L X16 4Gb Industriale F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

Chip di memoria DRAM da 512 MB a 16 bit 1,575 V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

Chip di memoria DRAM industriale DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

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MT40A512M16LY-062E IT:E 8Gb: x8 x16 Automotive DDR4 SDRAM 1.6GHz 1.14V~1.26V

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