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8Gb C chip di memoria DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

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8Gb C chip di memoria DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

8Gb C chip di memoria DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD
8Gb C chip di memoria DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 8Gb C chip di memoria DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 8Gb C chip di memoria DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

Grande immagine :  8Gb C chip di memoria DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

Dettagli:
Luogo di origine: Kr
Marca: SAMSUNG
Certificazione: ROHS
Numero di modello: K4A8G165WC-BITD
Documento: 06257D8C37A1B57F18DD60B9E3E...09.pdf
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: CONSULT WITH
Imballaggi particolari: T/R
Tempi di consegna: 5-8day
Termini di pagamento: Western Union,T/T
Capacità di alimentazione: 10000
Contatto Ora chiacchieri

8Gb C chip di memoria DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

descrizione
Catalogo di prodotto: Memoria >Dynamic Random Access Memory DRAM Imballaggio universale: FBGA-96
RoHS: Rispetto Metodo di installazione: Installazione a montaggio superficiale
Temperatura di esercizio: -40~95°C Grado di applicazione: Grado industriale
Metodo di imballaggio: Palette Capacità di archiviazione: 512Mx16
Evidenziare:

Chip di memoria DRAM da 8 GB DDR4

,

C die DRAM Chip di memoria DDR4

,

K4A8G165WC-BITD

Memoria di accesso casuale dinamica DRAM 8Gb C-die DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD
Specificativi del prodotto
Attributo Valore
Catalogo dei prodotti Memoria > Memoria a accesso casuale dinamica DRAM
Imballaggio universale FBGA-96
RoHS Rispetto
Metodo di installazione Installazione di montaggio in superficie
Temperatura di funzionamento -40°C a 95°C
Grado di applicazione Grado industriale
Metodo di imballaggio Palette
Capacità di stoccaggio 512Mx16
Dettagli tecnici
  • Funzionamento secondo la norma JEDEC 1.2V (1.14V-1.26V)
  • VDDo = 1,2V (1,14V-1,26V), VPp = 2,5V (2,375V-2,75V)
  • Velocità fino a 3200Mb/sec/pin (DDR4-3200)
  • 8 Banche (2 gruppi bancari)
  • Programmabile CAS Latency e CAS Write Latency
  • Architettura pre-fetch a 8 bit
  • Strobo di dati differenziale bidirezionale
  • Autocalibrazione interna attraverso pin ZQ (RZQ: 240 ohm±1%)
  • In fase di terminazione a stiro con pin ODT
  • Capacità di ripristino asincrono
  • CRC (Cyclic Redundancy Check) per la sicurezza dei dati
  • Controllo della parità degli indirizzi dei comandi
  • Supporto per l'inversione del bus dati (DBI)
  • Disponibile in modalità abbassamento marcia
  • Interfaccia POD (Pseudo Open Drain)
Immagini del prodotto
8Gb C chip di memoria DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 0 8Gb C chip di memoria DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 1 8Gb C chip di memoria DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 2
Informazioni sull'imballaggio

I clienti possono scegliere tra cartoni, casse di legno e pallet di legno in base alle loro esigenze.

Domande frequenti
Come si ottiene il prezzo?

In genere forniamo un preventivo entro 24 ore dal ricevimento della vostra richiesta (esclusi fine settimana e festivi).contattaci direttamente via e-mail o altri metodi disponibili.

Qual e' il vostro tempo di consegna?

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Prezzi di fabbrica con deposito del 30% e pagamento del saldo del 70% via T/T prima della spedizione.

Quali sono le opzioni di spedizione?

Offriamo consegna via mare, via aerea o espressa (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX).

Come si mantengono relazioni a lungo termine con i clienti?

Diamo la priorità alla qualità e ai prezzi competitivi per garantire la soddisfazione del cliente.

Prodotto Tag:

Dram chip,

cioccolato,

Chip di memoria di Dram

Dettagli di contatto
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Persona di contatto: Mr. Sun

Telefono: 18824255380

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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