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Puce de mémoire DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD de 8 Go, matrice C

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Puce de mémoire DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD de 8 Go, matrice C

Puce de mémoire DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD de 8 Go, matrice C
Puce de mémoire DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD de 8 Go, matrice C Puce de mémoire DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD de 8 Go, matrice C Puce de mémoire DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD de 8 Go, matrice C

Image Grand :  Puce de mémoire DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD de 8 Go, matrice C

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Kr
Nom de marque: SAMSUNG
Certification: ROHS
Numéro de modèle: Les données de référence doivent être fournies à l'autorité compétente de l'État membre de l'exporta
Documents: 06257D8C37A1B57F18DD60B9E3E...09.pdf
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: CONSULT WITH
Détails d'emballage: R/R
Délai de livraison: 5-8day
Conditions de paiement: Western Union, T/T
Capacité d'approvisionnement: 10000
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Puce de mémoire DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD de 8 Go, matrice C

description de
Catalogue de produit: Mémoire >Mémoire à accès aléatoire dynamique DRAM Emballage universel: FBGA-96
Règlement ROHS: Conformité Installation Method: Installation en surface
Température de fonctionnement: -40 à 95°C Grade d'application: Grade industriel
Méthode d'emballage: Palette Capacité de stockage: 512Mx16
Mettre en évidence:

Puce de mémoire DRAM DDR4 de 8 Go

,

Puce de mémoire DRAM DDR4

,

matrice C

Mémoire d'accès aléatoire dynamique DRAM 8GB C-DIE DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD
Spécifications du produit
Attribut Valeur
Catalogue de produits Mémoire> Dram mémoire dynamique d'accès aléatoire
Emballage universel FBGA-96
Rohs Conformité
Méthode d'installation Installation de montage de surface
Température de fonctionnement -40 ~ 95 ° C
Note de demande Classe industrielle
Méthode d'emballage Palette
Capacité de stockage 512mx16
Détails techniques
  • Fonctionnement de la norme JEDEC (1.14v-1.26V)
  • VDDO = 1,2 V (1,14V-1.26V), VPP = 2,5 V (2,375V-2,75 V)
  • Vitesse jusqu'à 3200 Mo / sec / broche (DDR4-3200)
  • 8 banques (2 groupes de banques) Organisation
  • Latence CAS programmable et la latence d'écriture CAS
  • Architecture pré-fetch 8 bits
  • Étrobe de données différentielle bidirectionnelle
  • Auto-étalonnage interne à travers la broche ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
  • Sur la terminaison de la matrice en utilisant la broche ODT
  • Capacité de réinitialisation asynchrone
  • CRC (vérification de redondance cyclique) pour la sécurité des données
  • Vérification de la parité de l'adresse de commande
  • Support d'inversion de bus de données (DBI)
  • Mode de vitesse Down disponible
  • Interface POD (pseudo ouverte)
Images de produits
Puce de mémoire DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD de 8 Go, matrice C 0 Puce de mémoire DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD de 8 Go, matrice C 1 Puce de mémoire DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD de 8 Go, matrice C 2
Informations d'emballage

Emballage d'exportation standard disponible. Les clients peuvent choisir parmi les cartons, les étuis en bois et les palettes en bois en fonction de leurs besoins.

Questions fréquemment posées
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Nous priorisons la qualité et les prix compétitifs pour assurer la satisfaction du client. Nous apprécions chaque relation commerciale et approchons toutes les transactions avec sincérité et professionnalisme.

Produit Tag:

éclaboussure de dram,

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Puces de mémoire de drachme

Coordonnées
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Personne à contacter: Mr. Sun

Téléphone: 18824255380

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