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8Gb C chip de memoria DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

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8Gb C chip de memoria DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

8Gb C chip de memoria DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD
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Ampliación de imagen :  8Gb C chip de memoria DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

Datos del producto:
Lugar de origen: KR
Nombre de la marca: SAMSUNG
Certificación: ROHS
Número de modelo: K4A8G165WC-BITD
Documento: 06257D8C37A1B57F18DD60B9E3E...09.pdf
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: CONSULT WITH
Detalles de empaquetado: T/R
Tiempo de entrega: 5-8day
Condiciones de pago: En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones:
Capacidad de la fuente: 10000
Contacto Ahora Charle

8Gb C chip de memoria DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

descripción
Catálogo de producto: Memoria > Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio DRAM Empaquetado universal: FBGA-96
Protección de la salud: El cumplimiento Método de instalación: Instalación de montaje en superficie
Temperatura de funcionamiento: -40 ~ 95 °C Calificación de la solicitud: Grado industrial
Método de envasado: Palé Capacidad de almacenamiento: 512Mx16
Resaltar:

Chip de memoria DRAM de 8 GB DDR4

,

Chip de memoria DDR4

,

K4A8G165WC-BITD

Memoria de acceso aleatorio dinámico DRAM 8Gb C-die DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD
Especificaciones del producto
Atributo Valor
Catálogo de productos Memoria > Memoria de acceso aleatorio dinámico
Embalaje universal Se trata de la FBGA-96.
RoHS El cumplimiento
Método de instalación Instalación de montaje en superficie
Temperatura de funcionamiento -40 ~ 95 °C
Grado de aplicación Grado industrial
Método de envasado Las demás
Capacidad de almacenamiento 512Mx16
Detalles técnicos
  • Funcionamiento de la norma JEDEC 1.2V (1.14V-1.26V)
  • VDDo = 1,2 V (1,14 V-1,26 V), VPp = 2,5 V (2,375 V-2,75 V)
  • Velocidades de hasta 3200Mb/sec/pin (DDR4-3200)
  • 8 Bancos (2 grupos bancarios)
  • La latencia de escritura de CAS y la latencia de escritura de CAS
  • Arquitectura de pre-recuperación de 8 bits
  • Estrofa de datos diferencial bidireccional
  • Autocalibración interna a través del pin ZQ (RZQ: 240 ohm±1%)
  • En la terminación a presión utilizando pin ODT
  • Capacidad de restablecimiento asíncrono
  • Control de redundancia cíclica (CRC) para la seguridad de los datos
  • Verificación de paridad de direcciones de comandos
  • Apoyo para la inversión del bus de datos (DBI)
  • Disponible en modo de reducción de marcha
  • Interfaz POD (Pseudo-Open Drain)
Imágenes del producto
8Gb C chip de memoria DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 0 8Gb C chip de memoria DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 1 8Gb C chip de memoria DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 2
Información sobre el embalaje

Los clientes pueden elegir entre cartones, cajas de madera y palets de madera de acuerdo con sus requisitos.

Preguntas frecuentes
¿Cómo obtener el precio?

Por lo general, ofrecemos cotizaciones dentro de las 24 horas posteriores a la recepción de su consulta (excluyendo fines de semana y días festivos).por favor, póngase en contacto con nosotros directamente por correo electrónico u otros métodos disponibles.

¿Cuál es su plazo de entrega?

El tiempo de entrega depende de la cantidad de pedido y la temporada. Los lotes pequeños generalmente se envían dentro de los 7-15 días, mientras que los pedidos más grandes pueden requerir aproximadamente 30 días.

¿Cuáles son sus términos de pago?

Precio de fábrica con depósito del 30% y pago del saldo del 70% vía T/T antes del envío.

¿Cuáles son sus opciones de envío?

Ofrecemos envío por mar, aire o expreso (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Por favor, confirme su método de envío preferido antes de hacer el pedido.

¿Cómo mantiene relaciones a largo plazo con los clientes?

Priorizamos la calidad y los precios competitivos para garantizar la satisfacción del cliente. Valoramos cada relación comercial y abordamos todas las transacciones con sinceridad y profesionalismo.

Contacto
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Persona de Contacto: Mr. Sun

Teléfono: 18824255380

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