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8Gb C Die DRAM Speicherchip DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

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8Gb C Die DRAM Speicherchip DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

8Gb C Die DRAM Memory Chip DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD
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Großes Bild :  8Gb C Die DRAM Speicherchip DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

Produktdetails:
Herkunftsort: Kr
Markenname: SAMSUNG
Zertifizierung: ROHS
Modellnummer: K4A8G165WC-BITD
Dokument: 06257D8C37A1B57F18DD60B9E3E...09.pdf
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: CONSULT WITH
Verpackung Informationen: T/R
Lieferzeit: 5-8day
Zahlungsbedingungen: Western Union, T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000
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8Gb C Die DRAM Speicherchip DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

Beschreibung
Produkt-Katalog: Memory > Dynamischer Direktzugriffsspeicher DRAM Universalverpackung: FBGA-96
ROHS: Einhaltung der Vorschriften Installationsmethode: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur: -40~95°C Anwendungsbereich: Industrielle Qualität
Verpackungsmethode: Palette Speicherkapazität: 512Mx16
Hervorheben:

8Gb DRAM Speicherchip DDR4

,

C Die DRAM Speicherchip DDR4

,

K4A8G165WC-BITD

Dynamic Random Access Memory Dram 8GB C-Die DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITDD
Produktspezifikationen
Attribut Wert
Produktkatalog Speicher> Dynamischer Zufallszugriffsspeicher Dram
Universelle Verpackung FBGA-96
Rohs Einhaltung
Installationsmethode Oberflächenmontage Installation
Betriebstemperatur -40 ~ 95 ° C.
Anwendungsnote Industriegrad
Verpackungsmethode Palette
Speicherkapazität 512mx16
Technische Details
  • JEDEC Standard 1,2 V (1,14 V-1.26V) Betrieb
  • VDDO = 1,2 V (1,14 V-1.26V), VPP = 2,5 V (2,375V-2,75 V)
  • Geschwindigkeiten von bis zu 3200 MB/s/pin (DDR4-3200)
  • 8 Banken (2 Bankgruppen) Organisation
  • Programmierbare CAS -Latenz und CAS schreiben Latenz
  • 8-Bit-Architektur vor der Abnahme
  • Bidirektionale Differentialdatenstreifen
  • Interne Selbstkalibrierung durch ZQ Pin (RZQ: 240 Ohm ± 1%)
  • Bei der Beendigung des ODT -Pin
  • Asynchrone Reset -Fähigkeit
  • CRC (Cyclic Redundancy Check) für die Datensicherheit
  • Befehlsadresse Paritätsprüfung
  • DBI -Unterstützung (Datenbussinversion)
  • Ausrüstungsmodus verfügbar
  • POD -Schnittstelle (Pseudo Open Drain)
Produktbilder
8Gb C Die DRAM Speicherchip DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 0 8Gb C Die DRAM Speicherchip DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 1 8Gb C Die DRAM Speicherchip DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 2
Verpackungsinformationen

Standard -Exportverpackung verfügbar. Kunden können aus Kartons, Holzkoffern und Holzpaletten entsprechend ihren Anforderungen auswählen.

Häufig gestellte Fragen
Wie bekomme ich den Preis?

Wir geben in der Regel innerhalb von 24 Stunden nach Erhalt Ihrer Anfrage (ohne Wochenenden und Feiertage) Angebote an. Bei dringenden Preisanfragen kontaktieren Sie uns bitte direkt per E -Mail oder andere verfügbare Methoden.

Was ist Ihre Lieferzeit?

Die Lieferzeit hängt von der Bestellmenge und der Saison ab. Kleine Chargen werden in der Regel innerhalb von 7 bis 15 Tagen versandt, während größere Bestellungen möglicherweise ungefähr 30 Tage erfordern.

Was sind Ihre Zahlungsbedingungen?

Fabrikpreise mit 30% Einzahlung und 70% Saldo -Zahlung über T/T vor dem Versand.

Was sind Ihre Versandoptionen?

Wir bieten Meeres-, Luft- oder ausdrückliche Lieferung (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Bitte bestätigen Sie Ihre bevorzugte Versandmethode vor der Bestellung.

Wie pflegen Sie langfristige Kundenbeziehungen?

Wir priorisieren Qualität und Wettbewerbspreise, um die Kundenzufriedenheit zu gewährleisten. Wir schätzen jede Geschäftsbeziehung und nähern sich allen Transaktionen mit Aufrichtigkeit und Professionalität.

Gesamtbewertung

5.0
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J
Jacques
France Oct 8.2025
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
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