Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤσιπ μνήμης DRAM

8Gb C θραύσιμο chip μνήμης DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

Είμαι Online Chat Now

8Gb C θραύσιμο chip μνήμης DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

8Gb C θραύσιμο chip μνήμης DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD
8Gb C θραύσιμο chip μνήμης DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 8Gb C θραύσιμο chip μνήμης DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 8Gb C θραύσιμο chip μνήμης DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

Μεγάλες Εικόνας :  8Gb C θραύσιμο chip μνήμης DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: KR
Μάρκα: SAMSUNG
Πιστοποίηση: ROHS
Αριθμό μοντέλου: Κ4Α8G165WC-BITD
Έγγραφο: 06257D8C37A1B57F18DD60B9E3E...09.pdf
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: 1
Τιμή: CONSULT WITH
Συσκευασία λεπτομέρειες: Τ/Ρ
Χρόνος παράδοσης: 5-8day
Όροι πληρωμής: Western Union, T/T
Δυνατότητα προσφοράς: 10000
Επικοινωνία Συνομιλία τώρα

8Gb C θραύσιμο chip μνήμης DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

περιγραφή
Κατάλογος προϊόντων: Μνήμη >Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης DRAM Οικουμενική συσκευασία: FBGA-96
ROHS: Συμμόρφωση Μέθοδος εγκατάστασης: Εγκατάσταση επιφανειακής βάσης
Θερμοκρασία λειτουργίας: -40~95°C Κατηγορία εφαρμογής: Βιομηχανική ποιότητα
Μέθοδος συσκευασίας: Παλέτα Δυνατότητα αποθήκευσης: 512Mx16
Επισημαίνω:

Τσιπ μνήμης DRAM 8Gb DDR4

,

Τσιπ μνήμης C die DRAM DDR4

,

Κ4Α8G165WC-BITD

Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης DRAM 8Gb C-die DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD
Προδιαγραφές προϊόντος
Ειδικότητα Αξία
Καταλόγος προϊόντων Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης DRAM
Οικουμενική συσκευασία FBGA-96
RoHS Συμμόρφωση
Μέθοδος εγκατάστασης Εγκατάσταση επιφανειακής στερέωσης
Θερμοκρασία λειτουργίας -40~95°C
Κατηγορία εφαρμογής Βιομηχανική ποιότητα
Μέθοδος συσκευασίας Παλέτα
Δυνατότητα αποθήκευσης 512Mx16
Τεχνικές λεπτομέρειες
  • Δραστηριότητα σύμφωνα με το πρότυπο JEDEC 1.2V (1.14V-1.26V)
  • ΔΕΔΟ = 1,2V (1,14V-1,26V), VPp = 2,5V (2,375V-2,75V)
  • Ταχύτητες έως 3200Mb/sec/pin (DDR4-3200)
  • 8 Οργάνωση τραπεζών (2 ομίλοι τραπεζών)
  • Προγραμματισμένη καθυστέρηση CAS και καθυστέρηση εγγραφής CAS
  • Αρχιτεκτονική προ-αναζήτησης 8-bit
  • Διοικητική εξουσία
  • Εσωτερική αυτοδιαμετρίαση μέσω ZQ pin (RZQ: 240 ohm±1%)
  • Σε διακοπή πετσέτας χρησιμοποιώντας πιν ODT
  • Δυνατότητα Ασύγχρονης Επαναφορά
  • CRC (Cyclic Redundancy Check) για την ασφάλεια των δεδομένων
  • Έλεγχος ισοτιμίας διευθύνσεων εντολών
  • Υποστήριξη αντιστροφής λεωφορείου δεδομένων (DBI)
  • Διαθέσιμη κατάσταση μείωσης ταχυτήτων
  • Διασύνδεση POD (Pseudo Open Drain)
Εικόνες προϊόντων
8Gb C θραύσιμο chip μνήμης DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 0 8Gb C θραύσιμο chip μνήμης DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 1 8Gb C θραύσιμο chip μνήμης DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 2
Πληροφορίες συσκευασίας

Οι πελάτες μπορούν να επιλέξουν από χαρτόνια, ξύλινες θήκες και ξύλινες παλέτες σύμφωνα με τις απαιτήσεις τους.

Συχνές Ερωτήσεις
Πώς θα βρω την τιμή;

Συνήθως παρέχουμε προσφορές εντός 24 ωρών από την παραλαβή της ερώτησής σας (εκτός Σαββατοκύριακων και αργιών).Παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας απευθείας μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου ή με άλλες διαθέσιμες μεθόδους.

Ποιο είναι το χρόνο παράδοσης;

Ο χρόνος παράδοσης εξαρτάται από την ποσότητα της παραγγελίας και την εποχή.

Ποιοι είναι οι όροι πληρωμής σας;

Τιμές εργοστασίου με 30% προκαταβολή και 70% πληρωμή του υπολοίπου μέσω Τ/Τ πριν από την αποστολή.

Ποιες είναι οι επιλογές αποστολής;

Προσφέρουμε θαλάσσια, αεροπορική ή ταχεία παράδοση (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Παρακαλούμε επιβεβαιώστε την προτιμώμενη μέθοδο αποστολής πριν από την παραγγελία.

Πώς διατηρείς μακροχρόνιες σχέσεις με τους πελάτες;

Δίνουμε προτεραιότητα στην ποιότητα και τις ανταγωνιστικές τιμές για να διασφαλίσουμε την ικανοποίηση των πελατών.

Στοιχεία επικοινωνίας
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Mr. Sun

Τηλ.:: 18824255380

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα