Rumah ProdukChip Memori DRAM

Chip Memori DRAM C Die 8Gb DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

I 'm Online Chat Now

Chip Memori DRAM C Die 8Gb DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

Chip Memori DRAM C Die 8Gb DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD
Chip Memori DRAM C Die 8Gb DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD Chip Memori DRAM C Die 8Gb DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD Chip Memori DRAM C Die 8Gb DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

Gambar besar :  Chip Memori DRAM C Die 8Gb DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

Detail produk:
Tempat asal: KR
Nama merek: SAMSUNG
Sertifikasi: ROHS
Nomor model: K4A8G165WC-BITD
Dokumen: 06257D8C37A1B57F18DD60B9E3E...09.pdf
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: 1
Harga: CONSULT WITH
Kemasan rincian: T/R
Waktu pengiriman: 5-8 hari
Syarat-syarat pembayaran: Western Union,T/T
Menyediakan kemampuan: 10000
Kontak bicara sekarang

Chip Memori DRAM C Die 8Gb DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

Deskripsi
Katalog Produk: Memori> Dinamis Access Access Memory Dram Kemasan universal: FBGA-96
RoHS: Kepatuhan Metode pemasangan: Pemasangan Pemasangan Permukaan
Suhu operasi: -40 ~ 95 ° C. Nilai Aplikasi: Kelas Industri
Metode Pengemasan: Palet Kapasitas penyimpanan: 512mx16
Menyoroti:

Chip Memori DRAM 8Gb DDR4

,

Chip Memori DRAM C Die DDR4

,

K4A8G165WC-BITD

Dynamic Random Access Memory DRAM 8Gb C-die DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD
Spesifikasi Produk
Atribut Nilai
Katalog Produk Memori > Dynamic Random Access Memory DRAM
Pengemasan universal FBGA-96
RoHS Kepatuhan
Metode instalasi Instalasi permukaan
Suhu pengoperasian -40~95°C
Tingkat aplikasi Tingkat industri
Metode pengemasan Palet
Kapasitas penyimpanan 512Mx16
Detail Teknis
  • Standar JEDEC 1.2V (1.14V-1.26V) operasi
  • VDDo = 1.2V (1.14V-1.26V), VPp = 2.5V (2.375V-2.75V)
  • Kecepatan hingga 3200Mb/detik/pin (DDR4-3200)
  • Organisasi 8 Bank (2 Grup Bank)
  • CAS Latency dan CAS Write Latency yang dapat diprogram
  • Arsitektur pra-ambil 8-bit
  • Data-Strobe Diferensial Dua Arah
  • Kalibrasi diri internal melalui pin ZQ (RZQ: 240 ohm±1%)
  • Terminasi On Die menggunakan pin ODT
  • Kemampuan Reset Asinkron
  • CRC (Pemeriksaan Redundansi Siklik) untuk keamanan data
  • Pemeriksaan paritas alamat perintah
  • Dukungan Inversi Bus Data (DBI)
  • Mode gear down tersedia
  • Antarmuka POD (Pseudo Open Drain)
Gambar Produk
Chip Memori DRAM C Die 8Gb DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 0 Chip Memori DRAM C Die 8Gb DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 1 Chip Memori DRAM C Die 8Gb DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 2
Informasi Pengemasan

Pengemasan ekspor standar tersedia. Pelanggan dapat memilih dari karton, kotak kayu, dan palet kayu sesuai dengan kebutuhan mereka.

Pertanyaan yang Sering Diajukan
Bagaimana cara mendapatkan harga?

Kami biasanya memberikan penawaran dalam waktu 24 jam setelah menerima pertanyaan Anda (tidak termasuk akhir pekan dan hari libur). Untuk permintaan harga yang mendesak, silakan hubungi kami langsung melalui email atau metode lain yang tersedia.

Berapa lama waktu pengiriman Anda?

Waktu pengiriman tergantung pada jumlah pesanan dan musim. Pengiriman batch kecil biasanya dilakukan dalam waktu 7-15 hari, sedangkan pesanan yang lebih besar mungkin memerlukan waktu sekitar 30 hari.

Apa syarat pembayaran Anda?

Harga pabrik dengan deposit 30% dan pembayaran saldo 70% melalui T/T sebelum pengiriman.

Apa saja opsi pengiriman Anda?

Kami menawarkan pengiriman melalui laut, udara, atau ekspres (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Harap konfirmasi metode pengiriman pilihan Anda sebelum memesan.

Bagaimana Anda mempertahankan hubungan pelanggan jangka panjang?

Kami memprioritaskan kualitas dan harga yang kompetitif untuk memastikan kepuasan pelanggan. Kami menghargai setiap hubungan bisnis dan mendekati semua transaksi dengan ketulusan dan profesionalisme.

Rincian kontak
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Kontak Person: Mr. Sun

Tel: 18824255380

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)