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Chip de memória DRAM C Die de 8 Gb DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

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Chip de memória DRAM C Die de 8 Gb DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

8Gb C Die DRAM Memory Chip DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD
8Gb C Die DRAM Memory Chip DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 8Gb C Die DRAM Memory Chip DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 8Gb C Die DRAM Memory Chip DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

Imagem Grande :  Chip de memória DRAM C Die de 8 Gb DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

Detalhes do produto:
Lugar de origem: KR
Marca: SAMSUNG
Certificação: ROHS
Número do modelo: K4A8G165WC-BITD
Documento: 06257D8C37A1B57F18DD60B9E3E...09.pdf
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: CONSULT WITH
Detalhes da embalagem: T/R
Tempo de entrega: 5-8day
Termos de pagamento: Western Union, T/T
Habilidade da fonte: 10000
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Chip de memória DRAM C Die de 8 Gb DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

descrição
Catálogo de produto: Memória >Dynamic Random Access Memory DRAM Embalagem universal: FBGA-96
ROHS: Conformidade Método de instalação: Instalação de montagem em superfície
Temperatura de Operação: -40~95°C Grau de aplicação: Grau industrial
Método de embalagem: Paleta Capacidade de armazenamento: 512mx16
Destacar:

Chip de memória DRAM de 8 Gb DDR4

,

Chip de memória DRAM C die DDR4

,

K4A8G165WC-BITD

Memória de acesso aleatório dinâmico DRAM 8Gb C-die DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD
Especificações do produto
Atributo Valor
Catálogo de produtos Memória > Memória de Acesso Dinâmico Aleatório DRAM
Embalagem universal FBGA-96
RoHS Conformidade
Método de instalação Instalação de montagem na superfície
Temperatura de funcionamento -40 a 95°C
Grau de aplicação Grau industrial
Método de embalagem Paleta
Capacidade de armazenamento 512Mx16
Detalhes técnicos
  • Função de norma JEDEC 1.2V (1.14V-1.26V)
  • VDDo = 1,2V (1,14V-1,26V), VPp = 2,5V (2,375V-2,75V)
  • Velocidades de até 3200Mb/sec/pin (DDR4-3200)
  • 8 Bancos (2 grupos bancários)
  • Latência CAS programável e Latência de escrita CAS
  • Arquitetura pré-retirada de 8 bits
  • Bi-direccional Diferencial Data-Strobe
  • Autocalibração interna através de um pin ZQ (RZQ: 240 ohm±1%)
  • Em terminação de die usando pin ODT
  • Capacidade de reinicialização assíncrona
  • CRC (Ciclic Redundancy Check) para a segurança dos dados
  • Verificação de paridade de endereço do comando
  • Suporte à inversão do Data Bus (DBI)
  • Disponível no modo de redução de velocidade
  • Interface POD (Pseudo Open Drain)
Imagens do produto
Chip de memória DRAM C Die de 8 Gb DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 0 Chip de memória DRAM C Die de 8 Gb DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 1 Chip de memória DRAM C Die de 8 Gb DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 2
Informações sobre a embalagem

As embalagens de exportação padrão estão disponíveis. Os clientes podem escolher entre caixas de papelão, caixas de madeira e paletes de madeira de acordo com suas necessidades.

Perguntas Frequentes
Como obter o preço?

Normalmente, fornecemos cotações dentro de 24 horas após a receção do seu pedido (excluindo fins de semana e feriados).Por favor, contacte-nos diretamente por e-mail ou outros métodos disponíveis.

Qual é o seu prazo de entrega?

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Quais são os seus termos de pagamento?

Preço de fábrica com depósito de 30% e pagamento do saldo de 70% via T/T antes do envio.

Quais são as suas opções de transporte?

Oferecemos entrega marítima, aérea ou expressa (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX).

Como mantém relacionamentos de longo prazo com os clientes?

Priorizamos a qualidade e preços competitivos para garantir a satisfação do cliente. Valorizamos todas as relações comerciais e abordamos todas as transações com sinceridade e profissionalismo.

etiqueta:

Dram chip,

batatas fritas,

Chip de memória da gole

Contacto
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Pessoa de Contato: Mr. Sun

Telefone: 18824255380

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